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公开(公告)号：CN107665859B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710607173.3
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 里兰斯坦福初级大学理事会
IPC: H01L21/768 , H01L21/762 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供了包括电隔离图案的半导体器件及其制造方法。一种形成复合电介质材料的方法可以通过执行第一沉积循环以形成第一电介质材料以及执行第二沉积循环以在第一电介质材料上形成第二电介质材料来提供，其中第一电介质材料和第二电介质材料包括从由过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、过渡金属碳化物、过渡金属硅化物、后过渡金属氮化物、后过渡金属氧化物、后过渡金属碳化物、后过渡金属硅化物、准金属氮化物、准金属氧化物和准金属碳化物组成的列表中选择的不同的电介质材料。
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公开(公告)号：CN107665859A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710607173.3
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 里兰斯坦福初级大学理事会
IPC: H01L21/768 , H01L21/762 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53257 , H01L23/53295 , H01L23/535 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L21/76802 , H01L21/28008 , H01L21/762
Abstract: 本公开提供了包括电隔离图案的半导体器件及其制造方法。一种形成复合电介质材料的方法可以通过执行第一沉积循环以形成第一电介质材料以及执行第二沉积循环以在第一电介质材料上形成第二电介质材料来提供，其中第一电介质材料和第二电介质材料包括从由过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、过渡金属碳化物、过渡金属硅化物、后过渡金属氮化物、后过渡金属氧化物、后过渡金属碳化物、后过渡金属硅化物、准金属氮化物、准金属氧化物和准金属碳化物组成的列表中选择的不同的电介质材料。
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公开(公告)号：CN1248549C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200310101227.7
申请日：2003-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永东 , 尤里·N·托尔马切夫 , 金圣九 , 申在光
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种感应耦合等离子体(ICP)发生设备，包括：抽真空的反应室；天线，该天线安装在反应室的上部，以感应用于离子化供给到反应室内的反应气体并产生等离子体的电场；以及射频(RF)电源，其连接到天线上以便将射频功率施加到天线上；其中，天线包括多个具有不同半径的线圈，至少一个线圈为弯曲成锯齿形图案的曲折线圈。电容器连接在RF电源和匹配网络之间、以及匹配网络和天线之间、与天线并联、以便诱发LC谐振现象。利用具有上述结构的ICP发生设备，可以减小天线电感、抑制电容耦合、并改善等离子体均匀性。也可以利用LC谐振现象有效地放电并维持等离子体。
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公开(公告)号：CN1498057A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101227.7
申请日：2003-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李永东 , 尤里·N·托尔马切夫 , 金圣九 , 申在光
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种感应耦合等离子体(ICP)发生设备，包括：抽真空的反应室；天线，该天线安装在反应室的上部，以感应用于离子化供给到反应室内的反应气体并产生等离子体的电场；以及射频(RF)电源，其连接到天线上以便将射频功率施加到天线上；其中，天线包括多个具有不同半径的线圈，至少一个线圈为弯曲成锯齿形图案的曲折线圈。电容器连接在RF电源和匹配网络之间、以及匹配网络和天线之间、与天线并联、以便诱发LC谐振现象。利用具有上述结构的ICP发生设备，可以减小天线电感、抑制电容耦合、并改善等离子体均匀性。也可以利用LC谐振现象有效地放电并维持等离子体。
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