公开(公告)号：CN108538828A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810171566.9

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赖安·M·哈彻 ,  瑞克·森古普塔 ,  克里斯·鲍恩

IPC: H01L27/02 ,  H03K19/20 ,  H03K19/21

CPC classification number: H01L29/78391 ,  H01L27/1104 ,  H03K19/20 ,  H01L27/02 ,  H03K19/215

Abstract: 本发明提供了一种集成电路、包括逻辑门的电路和单极数字逻辑系统。具有第一极性的沟道的铁电场效应晶体管在电路中与具有相同极性的沟道的简单场效应晶体管组合以形成逻辑门和/或存储器单元。

公开(公告)号：CN108538828B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201810171566.9

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赖安·M·哈彻 ,  瑞克·森古普塔 ,  克里斯·鲍恩

IPC: H01L27/02 ,  H03K19/20 ,  H03K19/21

Abstract: 本发明提供了一种集成电路、包括逻辑门的电路和单极数字逻辑系统。具有第一极性的沟道的铁电场效应晶体管在电路中与具有相同极性的沟道的简单场效应晶体管组合以形成逻辑门和/或存储器单元。