公开(公告)号：CN108538828A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810171566.9

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赖安·M·哈彻 ,  瑞克·森古普塔 ,  克里斯·鲍恩

IPC: H01L27/02 ,  H03K19/20 ,  H03K19/21

CPC classification number: H01L29/78391 ,  H01L27/1104 ,  H03K19/20 ,  H01L27/02 ,  H03K19/215

Abstract: 本发明提供了一种集成电路、包括逻辑门的电路和单极数字逻辑系统。具有第一极性的沟道的铁电场效应晶体管在电路中与具有相同极性的沟道的简单场效应晶体管组合以形成逻辑门和/或存储器单元。

公开(公告)号：CN108538828B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201810171566.9

申请日：2018-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赖安·M·哈彻 ,  瑞克·森古普塔 ,  克里斯·鲍恩

IPC: H01L27/02 ,  H03K19/20 ,  H03K19/21

Abstract: 本发明提供了一种集成电路、包括逻辑门的电路和单极数字逻辑系统。具有第一极性的沟道的铁电场效应晶体管在电路中与具有相同极性的沟道的简单场效应晶体管组合以形成逻辑门和/或存储器单元。

公开(公告)号：CN104103688B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201410140383.2

申请日：2014-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·勒德 ,  克里斯·鲍恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种形成场效应晶体管的方法和一种场效应晶体管器件，所述方法包括：在衬底中形成具有第一导电类型的穿通区；在衬底上形成具有第一导电类型的外延层；对外延层图案化以形成从衬底突出的鳍部；在鳍部上形成伪栅极和栅极侧壁隔垫物，从而在伪栅极的相对的侧部上限定鳍部的初始源极区和初始漏极区；去除鳍部的初始源极区和漏极区；将第二导电类型的掺杂剂原子注入衬底和穿通区的暴露部分中；以及在伪栅极和栅极侧壁隔垫物的相对的侧部上形成具有第二导电类型的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN104103688A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410140383.2

申请日：2014-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马克·S·勒德 ,  克里斯·鲍恩

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明公开了一种形成场效应晶体管的方法和一种场效应晶体管器件，所述方法包括：在衬底中形成具有第一导电类型的穿通区；在衬底上形成具有第一导电类型的外延层；对外延层图案化以形成从衬底突出的鳍部；在鳍部上形成伪栅极和栅极侧壁隔垫物，从而在伪栅极的相对的侧部上限定鳍部的初始源极区和初始漏极区；去除鳍部的初始源极区和漏极区；将第二导电类型的掺杂剂原子注入衬底和穿通区的暴露部分中；以及在伪栅极和栅极侧壁隔垫物的相对的侧部上形成具有第二导电类型的源极区和漏极区。