公开(公告)号：CN118540947A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410192444.3

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴庆训 ,  金显浩 ,  白在馥 ,  尹壮根 ,  韩智勋

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/20 ,  H10B41/41 ,  H10B43/20 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 提供了集成电路装置和电子系统。集成电路装置通过绕过公共源极线来在接触结构和布线之间形成欧姆结使得公共源极线驱动器连接至的公共源极线通过布线电连接到接触结构，而具有改进的电可靠性。

公开(公告)号：CN118412371A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202311512834.6

申请日：2023-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪兑允 ,  尹壮根 ,  金显浩 ,  韩智勋

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 一种场效应晶体管包括：水平沟道层；层间绝缘层，在水平沟道层上；栅电极层，在层间绝缘层上；第一竖直沟道结构，在竖直方向上穿过栅电极层和层间绝缘层，与水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的一个；以及第二竖直沟道结构，在水平方向上与第一竖直沟道结构分开，在竖直方向上穿过栅电极层和层间绝缘层，与水平沟道层接触，并且连接到源极端子或漏极端子中的另一个。

公开(公告)号：CN117858504A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311262983.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩明薰 ,  张世熙 ,  金显浩 ,  韩智勋

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/10 ,  H10B41/10

Abstract: 一种半导体器件包括栅电极结构、存储沟道结构、第一划分图案和第一支撑图案。栅电极结构包括在衬底上沿着垂直于衬底的上表面的第一方向彼此间隔开的栅电极，并且每个栅电极在平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。存储沟道结构在衬底上延伸穿过栅电极结构。第一划分图案在平行于衬底的上表面且与第二方向交叉的第三方向上形成在栅电极结构的侧壁上，并且在第二方向上延伸。第一支撑图案在第一划分图案上沿着第二方向彼此间隔开，并且每个第一支撑图案包括导电材料。