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公开(公告)号：CN1170363C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN00108562.X
申请日：2000-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈载润
IPC: H03F3/45 , H03K19/0175 , H01L27/04
CPC classification number: H03K19/01721
Abstract: 一种功耗小运转快的输入缓冲器电路，包括：差分放大器，响应输入信号和参考电压将信号输出到差分放大器输出节点，电流源装置，用于减少差分放大器输出信号电平增加期间的时间，及一电流陷落装置，用于减少差分放大器输出信号电平减小期间的时间。电流源装置响应输入信号和缓冲器的输出信号，在从输入信号下降沿开始的预定短时段提供电流到输出节点。电流陷落装置响应输入信号和缓冲器的输出信号，在从输入信号前沿开始的预定短时段内从差分放大单元一端到地将电流放电。
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公开(公告)号：CN1471107A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03145071.7
申请日：2003-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈载润
IPC: G11C11/4063 , G11C11/413
CPC classification number: G11C7/065 , G11C11/4091 , G11C2207/002 , G11C2207/005 , G11C2207/065
Abstract: 本发明提供一种包含偏置－补偿放大器电路的半导体存储器件。该偏置－补偿放大器电路使一触发读出放大器能执行稳定的读出操作，与其自身的偏置电压无关。一部分偏置－补偿放大器电路被设置在一第一区中(例如，包含该触发读出放大器的区域)，且另一部分被设置在一第二区中(例如，该触发读出放大器的驱动器所在的区域)，由于这种分布式配置结构，一偏置－补偿放大器电路可被包含在半导体存储器件中。
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公开(公告)号：CN101309080A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810142879.8
申请日：2008-02-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
CPC classification number: H03L7/0812 , H03L7/10
Abstract: 宽带多相输出延迟锁定环(DLL)电路可以在宽范围频率中操作并生成不同的相位。不同于传统的延迟单元串联的电压控制延迟线，DLL电路采用一具有电阻网络的延迟矩阵，因此串联的延迟单元的数目减少了，可以输出不同的相位，由于电阻网络引起的延迟间隔误差(相位误差)被最小化。延迟单元的电流被控制因此延迟矩阵中的延迟单元可以在宽范围频率中操作，并且延迟单元中并联电容的负载电容值可以被控制。
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公开(公告)号：CN100416702C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN02118950.1
申请日：2002-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C8/08
CPC classification number: G11C11/4085 , G11C8/08
Abstract: 一种利用负偏压字线方案的存储器件在预充电操作的过程中将字线放电电流从负电压源中转移，由此降低电压波动并减小了负电压源的电流消耗。在预充电操作的过程中将主字线、子字线、字线启动信号或其它类型的字线耦合到负电压源。在预充电操作的过程中字线也耦合到第二电源，然后在大部分字线放电电流已经转移之后与第二电源断开。然后负电压源可以放电字线并将其保持在负偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1433026A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03101052.0
申请日：2003-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/04 , G11C7/06 , G11C7/22 , G11C7/227 , G11C2207/2281
Abstract: 公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时至字线选择信号生成电路所需的、相同时间程度来生成经延时的信号，以生成字线选择信号；和施密特触发器，用于通过接收来自延时电路的输出信号来生成字线使能检测信号，并且将该施密特触发器连接到电源电压，该电源电压的电压电平与用于使字线有效的电压电平相同。相对于传统的半导体存储器件，根据本发明的位线感知使能信号生成电路占有较小的布局面积。此外，该生成电路生成位线感知使能信号，该信号具有恒定的延时而不受过程变化或者电压和温度波动的影响。
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公开(公告)号：CN100412987C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN03145071.7
申请日：2003-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈载润
IPC: G11C11/4063 , G11C11/413
CPC classification number: G11C7/065 , G11C11/4091 , G11C2207/002 , G11C2207/005 , G11C2207/065
Abstract: 本发明提供一种包含偏置-补偿放大器电路的半导体存储器件。该偏置-补偿放大器电路使一触发读出放大器能执行稳定的读出操作，与其自身的偏置电压无关。一部分偏置-补偿放大器电路被设置在一第一区中(例如，包含该触发读出放大器的区域)，且另一部分被设置在一第二区中(例如，该触发读出放大器的驱动器所在的区域)，由于这种分布式配置结构，一偏置-补偿放大器电路可被包含在半导体存储器件中。
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公开(公告)号：CN1274990A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00108562.X
申请日：2000-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈载润
IPC: H03F3/45 , H03K19/0175 , H01L27/04
CPC classification number: H03K19/01721
Abstract: 一种功耗小运转快的输入缓冲器电路,包括:差分放大器,响应输入信号和参考电压将信号输出到差分放大器输出节点,电流源装置,用于减少差分放大器输出信号电平增加期间的时间,及一电流陷落装置,用于减少差分放大器输出信号电平减小期间的时间。电流源装置响应输入信号和缓冲器的输出信号,在从输入信号下降沿开始的预定短时段提供电流到输出节点。电流陷落装置响应输入信号和缓冲器的输出信号,在从输入信号前沿开始的预定短时段内从差分放大单元一端到地将电流放电。
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公开(公告)号：CN1316619C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN02140144.6
申请日：2002-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 沈载润
IPC: H01L27/00
CPC classification number: G05F3/245 , Y10S323/907
Abstract: 本发明提供一种温度补偿的基准电压发生器，包括：温度补偿的分压器或可变电压发生器，用于将一输入的基准电压分压，以便产生温度补偿的输出电压。最好包括：第一差分放大器，用于放大第一基准电压和第一反馈电压之间的电压差，以便输出一内部基准电压；第一分压器，用于响应于温度补偿的电压产生和输出第一反馈电压，该第一分压器进一步包括两个用于控制基准电压的幅值的电阻元件。在本发明的一个实施例中，MOS晶体管工作在弱转换区以补偿温度变化，因此产生温度补偿的基准电压并因此产生温度补偿的电源电压，从而降低由温度变化引起的半导体器件的性能波动。
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