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公开(公告)号：CN100416702C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN02118950.1
申请日：2002-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C8/08
CPC classification number: G11C11/4085 , G11C8/08
Abstract: 一种利用负偏压字线方案的存储器件在预充电操作的过程中将字线放电电流从负电压源中转移，由此降低电压波动并减小了负电压源的电流消耗。在预充电操作的过程中将主字线、子字线、字线启动信号或其它类型的字线耦合到负电压源。在预充电操作的过程中字线也耦合到第二电源，然后在大部分字线放电电流已经转移之后与第二电源断开。然后负电压源可以放电字线并将其保持在负偏压。
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公开(公告)号：CN1433026A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03101052.0
申请日：2003-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/04 , G11C7/06 , G11C7/22 , G11C7/227 , G11C2207/2281
Abstract: 公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时至字线选择信号生成电路所需的、相同时间程度来生成经延时的信号，以生成字线选择信号；和施密特触发器，用于通过接收来自延时电路的输出信号来生成字线使能检测信号，并且将该施密特触发器连接到电源电压，该电源电压的电压电平与用于使字线有效的电压电平相同。相对于传统的半导体存储器件，根据本发明的位线感知使能信号生成电路占有较小的布局面积。此外，该生成电路生成位线感知使能信号，该信号具有恒定的延时而不受过程变化或者电压和温度波动的影响。
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公开(公告)号：CN1147675A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN96108291.7
申请日：1996-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C7/10 , G11C11/4096
Abstract: 一种半导体存储器，至少有四个存储单元阵列块，它们由存储单元、行和列解码器阵列构成，以分别控制阵列块内的字线和位线。该存储器包括：输入/输出线路；输入/输出装置，供控制和驱动数据的输入/输出；第一数据线路，供传输数据；第二数据线路，连接至少两个阵列块的第一数据线路来传输数据；数据读出放大器，供读出和放大数据；数据输出装置，用以将放大的数据输出给外引线架。本发明可以制取总面积和耗电量小的半导体存储器。
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公开(公告)号：CN1099119C
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN96108291.7
申请日：1996-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: G11C7/10 , G11C11/4096
Abstract: 一种半导体存储器，至少有四个存储单元阵列块，它们由存储单元、行和列解码器阵列构成，以分别控制阵列块内的字线和位线。该存储器包括：输入/输出线路；输入/输出装置，供控制和驱动数据的输入/输出；第一数据线路，供传输数据；第二数据线路，连接至少两个阵列块的第一数据线路来传输数据；数据读出放大器，供读出和放大数据；数据输出装置，用以将放大的数据输出给外引线架。本发明可以制取总面积和耗电量小的半导体存储器。
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公开(公告)号：CN1384505A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02116187.9
申请日：2002-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/401 , H01L27/108
CPC classification number: G11C5/143
Abstract: 一种控制半导体存储器的进入和退出低电(DPD)模式的半导体装置,包括:多个电压发生器,提供工作电压;DPD控制器,检测DPD条件,产生DPD信号,控制施加工作电压到半导体存储器;偏置电路,将至少一个电压发生器的多个节点偏置为至少一个预定电位以防在进入/退出DPD模式时误触发电路。另一种半导体装置包括:多个输入缓冲器,缓冲多个DPD型信号;辅助缓冲器,个别缓冲DPD进入/退出信号;多个电压发生器,向内部电路提供工作电压;DPD控制电路,接收DPD型信号以解码DPD进入和退出命令,解码DPD进入命令时输出电压发生器控制信号以关断电压发生器,关断除辅助缓冲器外的多个缓冲器;自动脉冲发生器,收到DPD退出命令时产生电压脉冲以启动半导体装置的内部电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474441C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN02116187.9
申请日：2002-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/401 , H01L27/108
CPC classification number: G11C5/143
Abstract: 一种控制半导体存储器的进入和退出低电(DPD)模式的半导体装置，包括：多个电压发生器，提供工作电压；DPD控制器，检测DPD条件，产生DPD信号，控制施加工作电压到半导体存储器；偏置电路，将至少一个电压发生器的多个节点偏置为至少一个预定电位以防在进入/退出DPD模式时误触发电路。另一种半导体装置包括：多个输入缓冲器，缓冲多个DPD型信号；辅助缓冲器，个别缓冲DPD进入/退出信号；多个电压发生器，向内部电路提供工作电压；DPD控制电路，接收DPD型信号以解码DPD进入和退出命令，解码DPD进入命令时输出电压发生器控制信号以关断电压发生器，关断除辅助缓冲器外的多个缓冲器；自动脉冲发生器，收到DPD退出命令时产生电压脉冲以启动半导体装置的内部电路。
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公开(公告)号：CN100466099C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN03101052.0
申请日：2003-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063
CPC classification number: G11C7/04 , G11C7/06 , G11C7/22 , G11C7/227 , G11C2207/2281
Abstract: 公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时至字线选择信号生成电路所需的、相同时间程度来生成经延时的信号，以生成字线选择信号；和施密特触发器，用于通过接收来自延时电路的输出信号来生成字线使能检测信号，并且将该施密特触发器连接到电源电压，该电源电压的电压电平与用于使字线有效的电压电平相同。相对于传统的半导体存储器件，根据本发明的位线感知使能信号生成电路占有较小的布局面积。此外，该生成电路生成位线感知使能信号，该信号具有恒定的延时而不受过程变化或者电压和温度波动的影响。
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公开(公告)号：CN1116682C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN95119488.7
申请日：1995-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/407
CPC classification number: G11C7/1057 , G11C7/1051 , H03K19/00315
Abstract: 一种共享数据输入/输出线的半导体存贮器装置的数据输出缓冲电路，它包括：第一输入结点；第二输入结点；一输出结点；一正偏单元连接在第一电压和该输出结点之间，其栅极端连接到第一输入结点；一负偏单元连接在该输出结点和第二电压之间，其栅极端连接到第二输入结点；一电压检测单元连接在第一电压和输出结点之间，以及一开关单元连接在第一输入结点和第二电压之间，其控制端连接到电压检测单元的输出端。
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公开(公告)号：CN1392568A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN02118950.1
申请日：2002-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/413 , G11C8/08
CPC classification number: G11C11/4085 , G11C8/08
Abstract: 一种利用负偏压字线方案的存储器件在预充电操作的过程中将字线放电电流从负电压源中转移，由此降低电压波动并减小了负电压源的电流消耗。在预充电操作的过程中将主字线、子字线、字线启动信号或其它类型的字线耦合到负电压源。在预充电操作的过程中字线也耦合到第二电源，然后在大部分字线放电电流已经转移之后与第二电源断开。然后负电压源可以放电字线并将其保持在负偏压。
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公开(公告)号：CN100350501C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN02116186.0
申请日：2002-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/34 , G11C11/401 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体装置，用于控制半导体存储器的进入和退出低电模式(DPD)，包括：多个电压发生器，用于提供工作电压到所述半导体存储器；DPD控制器，用于检测DPD状态和产生DPD信号以控制所述工作电压施加到所述半导体存储器；和控制电路，用于控制在DPD模式的进入/退出后接通/关断所述多个电压发生器的时刻，以便减少通过所述半导体存储器的电涌到小于最大电流值。
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