公开(公告)号：CN103065674A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210404449.5

申请日：2012-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹载允 ,  金孝昶 ,  李祥载

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C11/40622 ,  G11C11/40615

Abstract: 本发明公开在一种执行综合局部自刷新(CPSR)方案的半导体存储器件，在该CPSR方案中，CPSR操作在每个存储体中包括的段上不执行自刷新操作。半导体存储器件包括：掩码信息寄存器，被配置为通过存储指示在其上不执行自刷新操作的存储体和段的信息来生成掩码信息；以及掩码操作电路，被配置为响应于掩码信息在每个存储体的段上不执行自刷新操作。半导体存储器件根据用户便利性有效地执行刷新操作并支持低功耗。

公开(公告)号：CN1474413A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN03145337.6

申请日：2003-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祥载 ,  沈载润 ,  洪相杓 ,  千基喆

IPC: G11C11/4074

CPC classification number: G05F1/465

Abstract: 在该电路中，响应于正常工作模式，供给或下变换外部电压源以向内部电路提供第一电平的内部电压源。响应于具有与正常模式有补充关系的低功耗模式，将外部电压源转换为低于第一电平的第二电平的电压。

公开(公告)号：CN100440376C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03145337.6

申请日：2003-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祥载 ,  沈载润 ,  洪相杓 ,  千基喆

IPC: G11C11/4074

CPC classification number: G05F1/465

Abstract: 在该电路中，响应于正常工作模式，供给或下变换外部电压源以向内部电路提供第一电平的内部电压源。响应于具有与正常模式有补充关系的低功耗模式，将外部电压源转换为低于第一电平的第二电平的电压。

公开(公告)号：CN101246748A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710303574.6

申请日：2007-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴福奎 ,  姜郁成 ,  李祥载

IPC: G11C29/42

CPC classification number: H03M13/19 ,  G06F11/1044 ,  H03M13/611

Abstract: 提供了一种用于基于字节的掩码操作的半导体存储设备和一种产生奇偶校验数据的方法，该半导体设备包括存储单元阵列和纠错码ECC引擎。存储单元阵列在其中存储普通数据和奇偶校验数据的位。ECC引擎在掩码模式下执行掩码操作，ECC引擎使用普通数据计算奇偶校验数据。普通数据包括通过掩码操作将被更新的第一部分和将被保存的第二部分。

公开(公告)号：CN110726914A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910567341.X

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李喆民 ,  高泰景 ,  金镇星 ,  孙亨坤 ,  洪升佑 ,  李东具 ,  李祥载

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明提供一种用于半导体器件的测试方法和测试系统。所述测试方法包括：将测试托盘加载到测试室中，所述测试托盘具有布置在其上的第一批次和第二批次的半导体器件；存储第一批次和第二批次的半导体器件中的每一个的批次信息；对第一批次和第二批次的半导体器件中的每一个执行测试程序；获得第一批次和第二批次的半导体器件中的每一个的ID信息；将所述ID信息与所述批次信息进行匹配以生成批次分类信息；以及基于所述测试程序的结果和所述批次分类信息对第一批次和第二批次的半导体器件进行分类。