公开(公告)号：CN100466099C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN03101052.0

申请日：2003-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林奎南 ,  柳济焕 ,  姜荣九 ,  李钟元 ,  沈载润

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C7/227 ,  G11C2207/2281

Abstract: 公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时至字线选择信号生成电路所需的、相同时间程度来生成经延时的信号，以生成字线选择信号；和施密特触发器，用于通过接收来自延时电路的输出信号来生成字线使能检测信号，并且将该施密特触发器连接到电源电压，该电源电压的电压电平与用于使字线有效的电压电平相同。相对于传统的半导体存储器件，根据本发明的位线感知使能信号生成电路占有较小的布局面积。此外，该生成电路生成位线感知使能信号，该信号具有恒定的延时而不受过程变化或者电压和温度波动的影响。

公开(公告)号：CN1433026A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03101052.0

申请日：2003-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林奎南 ,  柳济焕 ,  姜荣九 ,  李钟元 ,  沈载润

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C7/227 ,  G11C2207/2281

Abstract: 公开了一种具有位线感知使能信号生成电路的半导体存储器件。该半导体存储器件，包括：字线选择信号生成电路，用于为选择字线而生成字线选择信号；延时电路，用于通过将参考信号延时至字线选择信号生成电路所需的、相同时间程度来生成经延时的信号，以生成字线选择信号；和施密特触发器，用于通过接收来自延时电路的输出信号来生成字线使能检测信号，并且将该施密特触发器连接到电源电压，该电源电压的电压电平与用于使字线有效的电压电平相同。相对于传统的半导体存储器件，根据本发明的位线感知使能信号生成电路占有较小的布局面积。此外，该生成电路生成位线感知使能信号，该信号具有恒定的延时而不受过程变化或者电压和温度波动的影响。

公开(公告)号：CN1214530C

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN00119235.3

申请日：2000-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林奎南

IPC: H03K19/018

CPC classification number: H04L25/0292 ,  H03K19/01707 ,  H03K19/018528

Abstract: 一种支持低压接口和普通低压晶体管-晶体管逻辑(LVTTL)接口并高速工作的输入缓冲器电路。由自偏置差分放大电路产生的自偏置电压不仅用来跟踪在该差分放大电路中的通用模式输入电压还用来控制电流源和/或电流阱的电流而对在该差分放大电路中使用的电流进行控制。自偏置电压保持基本均匀的电平。该差分放大电路的总传输增益gm基本均匀不随输入的参考电压变化。改善了低压接口特性。该输入缓冲器可包括摆幅宽度控制电路。减小歪斜失真并改善工作速度。

公开(公告)号：CN1274997A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN00119235.3

申请日：2000-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林奎南

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H04L25/0292 ,  H03K19/01707 ,  H03K19/018528

Abstract: 一种支持低压接口和普通低压晶体管－晶体管逻辑(LVTTL)接口并高速工作的输入缓冲器电路。由自偏置差分放大电路产生的自偏置电压不仅用来跟踪在该差分放大电路中的通用模式输入电压还用来控制电流源和/或电流阱的电流而对在该差分放大电路中使用的电流进行控制。自偏置电压保持基本均匀的电平。该差分放大电路的总传输增益gm基本均匀不随输入的参考电压变化。改善了低压接口特性。该输入缓冲器可包括摆幅宽度控制电路。减小歪斜失真并改善工作速度。