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公开(公告)号:CN108242449B
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN201711346652.0
申请日:2017-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器及包括其的电子装置。一种图像传感器包括:包含共用像素的像素区域,其中共用像素的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管;以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域,其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组,其中,当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时,对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。
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公开(公告)号:CN106341628B
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201610529683.9
申请日:2016-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 像素电路包括第一光电荷累积器,包括被配置为长时间段暴露于光的至少两个光电二极管,以及第二光电荷累积器,包括被配置为短时间段暴露于光的至少一个光电二极管。像素电路包括第一传输控制器,将在第一光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域,以及第二传输控制器,将在第二光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域。像素电路包括驱动晶体管,根据传输到浮置扩散区域的光电荷产生像素信号。第一光电荷累积器的光电二极管的数量大于第二光电荷累积器的光电二极管的数量。
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公开(公告)号:CN106341628A
公开(公告)日:2017-01-18
申请号:CN201610529683.9
申请日:2016-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/37457 , H04N5/23245 , H04N5/35563 , H04N5/367 , H04N5/35536 , H04N5/378
Abstract: 像素电路包括第一光电荷累积器,包括被配置为长时间段暴露于光的至少两个光电二极管,以及第二光电荷累积器,包括被配置为短时间段暴露于光的至少一个光电二极管。像素电路包括第一传输控制器,将在第一光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域,以及第二传输控制器,将在第二光电荷累积器中累积的光电荷传输到浮置扩散区域。像素电路包括驱动晶体管,根据传输到浮置扩散区域的光电荷产生像素信号。第一光电荷累积器的光电二极管的数量大于第二光电荷累积器的光电二极管的数量。
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公开(公告)号:CN108242449A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201711346652.0
申请日:2017-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及图像传感器及包括其的电子装置。一种图像传感器包括:包含共用像素的像素区域,其中共用像素的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管;以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域,其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组,其中,当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时,对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。
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