公开(公告)号：CN119512443A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410708471.1

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宇现 ,  李晋永 ,  金志守 ,  文相权 ,  吴玄教 ,  林东厚 ,  郑珍久

IPC: G06F3/06

Abstract: 本公开提供了存储装置及其运行方法。所述存储装置包括：非易失性存储器件，所述非易失性存储器件被配置为存储快速单元信息，所述快速单元信息是从通过针对存储单元的单次编程形成的阈值电压分布获得的；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为在引导或初始化期间从所述非易失性存储器件读取所述快速单元信息，以执行基于快速单元管理策略对快速单元区域进行映射，其中，所述快速单元信息是通过在测试阶段或大量生产评价阶段中执行的所述单次编程获取的，并且在所述存储控制器的固件被运行之前被存储在所述非易失性存储器件中。

公开(公告)号：CN117672311A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202310548292.1

申请日：2023-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晋永 ,  姜宇现 ,  徐永周 ,  吴玄教 ,  李熙元 ,  林东厚 ,  郑珍久

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/34 ,  G11C16/14

Abstract: 公开存储装置和操作其的方法，所述存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：提供第一请求，第一请求指示非易失性存储器装置的目标存储器块的字线顺序读取操作；基于第一请求，提供第一字线读取数据，第一字线读取数据与目标存储器块的第一字线的存储器单元对应；基于第一请求，提供第二字线读取数据，第二字线读取数据与目标存储器块的第二字线的存储器单元对应，第二字线与第一字线邻近；基于第一字线读取数据和第二字线读取数据计算第一字线间隙值；以及基于第一字线间隙值执行目标存储器块的第一可靠性操作。