公开(公告)号：CN105609606B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201510783853.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍永 ,  司空坦 ,  金柄均 ,  金锺学

IPC: H01L33/22

Abstract: 本发明公开了发光装置及其制造方法。一种发光装置，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有多个V坑的有源层。所述发光装置还包括位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有与有源层的多个V坑的大小和形状实质上相同的多个V坑的层质量改进层，其中层质量改进层是包括Al或In的III‑V族半导体层。由于改进的层质量而提高了发光装置的发光质量。

公开(公告)号：CN109686825A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811221447.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金柄均 ,  林珍永 ,  玄在星

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 一种发光装置，包括：发光结构，所述发光结构包括在基板上的第一导电类型氮化物半导体层、在第一导电类型氮化物半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电类型氮化物半导体层；以及在基板与发光结构之间的缓冲层。缓冲层包括多个孔隙。多个孔隙从缓冲层的表面竖直延伸到缓冲层中。缓冲层的表面靠近发光结构。所述多个孔隙具有不同的水平截面积。

公开(公告)号：CN109686825B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201811221447.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 司空坦 ,  金柄均 ,  林珍永 ,  玄在星

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00

Abstract: 一种发光装置，包括：发光结构，所述发光结构包括在基板上的第一导电类型氮化物半导体层、在第一导电类型氮化物半导体层上的有源层以及在有源层上的第二导电类型氮化物半导体层；以及在基板与发光结构之间的缓冲层。缓冲层包括多个孔隙。多个孔隙从缓冲层的表面竖直延伸到缓冲层中。缓冲层的表面靠近发光结构。所述多个孔隙具有不同的水平截面积。

公开(公告)号：CN105609606A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510783853.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍永 ,  司空坦 ,  金柄均 ,  金锺学

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了发光装置及其制造方法。一种发光装置，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有多个V坑的有源层。所述发光装置还包括位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有与有源层的多个V坑的大小和形状实质上相同的多个V坑的层质量改进层，其中层质量改进层是包括Al或In的III-V族半导体层。由于改进的层质量而提高了发光装置的发光质量。

公开(公告)号：CN102832300B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。

公开(公告)号：CN102832300A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210203592.8

申请日：2012-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  朴基镐 ,  金范埈 ,  柳贤锡 ,  李正贤 ,  金柄均 ,  金起成 ,  尹皙胡

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。