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公开(公告)号：CN113851483A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202110703157.0
申请日：2021-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置，包括：堆叠结构，其包括在竖直方向上间隔开的栅极层和层间绝缘层；沟道孔，其在竖直方向上穿透堆叠结构；核心区，其在沟道孔内延伸；沟道层，其设置在核心区的侧表面上；第一介电层、数据存储层和第二介电层，其设置在沟道层和栅极层之间；以及焊盘图案，其设置在核心区上、在沟道孔中、并且与沟道层接触。最上栅极层的第一部分的侧表面与沟道层的外侧表面之间的第一水平距离大于最上栅极层的第二部分的侧表面与焊盘图案的外侧表面之间的第二水平距离。
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公开(公告)号：CN106601752B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201610878460.3
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573
Abstract: 公开了一种三维半导体存储装置和一种竖直集成电路装置，所述竖直集成电路装置可包括基底，基底具有第一区域和第二区域，第一区域被预留用于竖直集成电路装置的第一功能电路，其中，第一功能电路具有横跨第一区域的基本恒定的顶表面水平，第二区域被预留用于竖直集成电路装置的第二功能电路并且与第一区域隔开。第二功能电路可具有横跨第二区域的变化的顶表面水平。掺杂的氧化抑制材料可被包括在基底中并且可分别在基底与第一功能电路和第二功能电路的界面处从第一区域延伸到第二区域。
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公开(公告)号：CN105469375A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410429745.X
申请日：2014-08-28
Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 , 三星电子株式会社
IPC: G06T5/50
Abstract: 公开了一种处理高动态范围全景图的方法和装置。所述处理高动态范围全景图的方法包括：计算高动态范围(HDR)全景图的亮度图像与和HDR全景图对应的原始全景图的亮度图像之间的差值图像；去除所述差值图像中的亮度值跳变以获得补偿图像；基于补偿图像来获得低动态范围(LDR)全景图。
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公开(公告)号：CN119866630A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202380065135.3
申请日：2023-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据实施例的电子装置包括：铰链结构，包括第一铰链板、第二铰链板和铰链支架；显示器；多个加强构件，包括第一加强构件和第二加强构件并且附接到显示器；以及第一散热构件，包括第一区域、第二区域以及将第一区域和第二区域彼此连接并可通过第一铰链板和第二铰链板的移动而变形的第三区域，其中，在第一铰链板的一个表面面向与第二铰链板的一个表面相同的方向的电子装置的展开状态下，第三区域的至少一部分穿过彼此相对的第一铰链板的侧表面和第二铰链板的侧表面之间的间隙。
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公开(公告)号：CN106601752A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610878460.3
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11573
CPC classification number: H01L27/11551 , H01L21/26506 , H01L21/28158 , H01L21/823462 , H01L27/10897 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L27/11246 , H01L27/115 , H01L27/11529 , H01L27/11531 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/11597 , H01L28/00 , H01L29/1083 , H01L29/42368
Abstract: 公开了一种三维半导体存储装置和一种竖直集成电路装置，所述竖直集成电路装置可包括基底，基底具有第一区域和第二区域，第一区域被预留用于竖直集成电路装置的第一功能电路，其中，第一功能电路具有横跨第一区域的基本恒定的顶表面水平，第二区域被预留用于竖直集成电路装置的第二功能电路并且与第一区域隔开。第二功能电路可具有横跨第二区域的变化的顶表面水平。掺杂的氧化抑制材料可被包括在基底中并且可分别在基底与第一功能电路和第二功能电路的界面处从第一区域延伸到第二区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106453999A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610308362.6
申请日：2016-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李正勋
CPC classification number: H04N1/121 , B65H5/064 , B65H83/00 , H04N1/00588 , H04N1/00602 , H04N1/00641 , H04N1/04 , H04N1/047 , H04N1/12
Abstract: 本发明提供一种减小文件的未对准的图像扫描装置，该图像扫描装置包括：配置为从第一文件和第二文件扫描图像的扫描单元，该第二文件具有比第一文件的宽度小的宽度；和配置为自动供给第一文件和第二文件的文件传送单元。文件传送单元包括：框架，包括第一文件和第二文件层叠在其上的供给盘；拾取模块，安装在框架上，并配置为拾取第一文件和第二文件以及传输第一文件和第二文件；和辅助引导件，安装在框架中，并配置为根据层叠在供给盘上的第一文件的高度改变位置并支撑第二文件在宽度方向上的一侧。
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公开(公告)号：CN105282377A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510165818.3
申请日：2015-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李正勋
CPC classification number: B65H3/5261 , B65H2402/441 , B65H2404/144 , H04N1/00543 , H04N1/00551
Abstract: 本发明提供了扫描装置以及包括该扫描装置的成像装置。该扫描装置包括位置改变模块，该位置改变模块提供在与盖子分离的基底框架上并改变从拾取模块和摩擦模块选择的至少一个的位置以释放形成在拾取模块与摩擦模块之间的辊隙。因此，可以容易地解决卡纸并可以防止辊隙被不必要地释放。
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公开(公告)号：CN104735291A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410448462.X
申请日：2014-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李正勋
CPC classification number: B65H5/06 , H04N1/00543 , H04N1/3263 , H04N2201/0098
Abstract: 本发明提供了扫描装置和成像装置。扫描装置包括：文件进给辊，沿文件进给路径传送文件；扫描构件，提供在文件进给路径上以从文件读取图像；盖，打开和关闭文件进给路径的一部分；旋钮，手动地旋转文件进给辊；以及离合器单元，根据盖的打开和关闭操作选择性地将文件进给辊中的至少一个连接到旋钮。
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公开(公告)号：CN104469055A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410466652.4
申请日：2014-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N1/00
CPC classification number: H04N1/00554 , E05D7/0009 , E05F1/1261 , E05Y2201/638 , E05Y2900/608 , H04N1/00519 , H04N2201/0094 , H04N2201/02495 , Y10T16/5386 , Y10T16/5402
Abstract: 本发明提供一种成像装置。该成像装置包括铰链组件，以手动地铰链连接成像装置的主体和盖单元以及铰链组件。成像装置包括主体、配置为设置在主体的上侧上以按压原稿的盖单元、以及配置为将盖单元连接到主体的至少一个铰链组件，其中铰链组件包括第一主体、第二主体、按压单元以及压力调节器，第一主体可拆卸地安装在主体上，第二主体的一部分被紧固到盖单元，另一部分与第一主体铰链连接，按压单元被容纳在第一主体中以向上按压第二主体，压力调节器配置为调节第一主体与第二主体之间的铰链力。
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公开(公告)号：CN101101890A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710137953.2
申请日：2007-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L27/04 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76846
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法及由此制造的半导体器件。该制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成栅电极；在所述半导体衬底中形成源/漏区域使得源/漏区域位于每个所述栅电极的两侧；通过在形成有栅电极和源/漏区域的半导体衬底上蒸镀镍或镍合金且然后对镍或镍合金进行热处理，在所述栅电极和所述源/漏区域表面上形成镍硅化物层；在执行上述工艺后获得的表面上形成层间绝缘层，该层间绝缘层形成有接触孔，所述镍硅化物层的表面通过所述接触孔暴露；通过蒸镀难熔金属保形地沿着所述接触孔形成欧姆层，该难熔金属在500℃或更高的温度转化为硅化物；保形地沿着所述接触孔在所述欧姆层上形成扩散阻挡层；以及通过在所述接触孔中填埋金属材料而形成金属层。
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