公开(公告)号：CN101101890A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710137953.2

申请日：2007-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐奉锡 ,  慎烘縡 ,  李宣姃 ,  宣敏喆 ,  李正勋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76846

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法及由此制造的半导体器件。该制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成栅电极；在所述半导体衬底中形成源/漏区域使得源/漏区域位于每个所述栅电极的两侧；通过在形成有栅电极和源/漏区域的半导体衬底上蒸镀镍或镍合金且然后对镍或镍合金进行热处理，在所述栅电极和所述源/漏区域表面上形成镍硅化物层；在执行上述工艺后获得的表面上形成层间绝缘层，该层间绝缘层形成有接触孔，所述镍硅化物层的表面通过所述接触孔暴露；通过蒸镀难熔金属保形地沿着所述接触孔形成欧姆层，该难熔金属在500℃或更高的温度转化为硅化物；保形地沿着所述接触孔在所述欧姆层上形成扩散阻挡层；以及通过在所述接触孔中填埋金属材料而形成金属层。