公开(公告)号：CN105633089A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510810436.1

申请日：2015-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐准浩 ,  姜大雄 ,  方孝济 ,  李昌燮 ,  许星会

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的栅电极，并且具有竖直孔；有源柱，其设置在竖直孔中，并且提供竖直沟道；电荷存储部分，其介于有源柱与栅电极之间；阻挡电介质，其介于电荷存储部分与栅电极之间；隧道电介质，其介于电荷存储部分与有源柱之间；绝缘体，其填充有源柱的内孔；以及固定电荷层，其介于填充绝缘体与有源柱之间。采取手段解决了其中电流原本会在竖直沟道与填充绝缘体之间的界面附近被不利地影响的现象。

公开(公告)号：CN119545793A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410883627.X

申请日：2024-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文基俸 ,  金昔洙 ,  金泰勋 ,  方孝济 ,  白昇宰 ,  李诚馥 ,  李载德 ,  林浚熙

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了半导体器件和包括其的电子系统。半导体器件可以包括基板、垂直于基板的上表面的多个单元串、以及连接到单元串中的至少六个的位线。单元串中的每个可以包括在垂直于基板的上表面的方向上彼此串联连接的多个存储单元、在所述多个存储单元和基板之间彼此串联连接的第一地选择晶体管至第四地选择晶体管、以及在所述多个存储单元和位线之间的串选择晶体管。第一地选择晶体管至第四地选择晶体管中的第一个可以具有第一阈值电压分布，并且第一地选择晶体管至第四地选择晶体管中的第二个可以具有第二阈值电压分布。第二阈值电压分布可以不同于第一阈值电压分布。

公开(公告)号：CN113851483A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202110703157.0

申请日：2021-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑疆 ,  朴世准 ,  方孝济 ,  李载德 ,  李正勋

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体装置，包括：堆叠结构，其包括在竖直方向上间隔开的栅极层和层间绝缘层；沟道孔，其在竖直方向上穿透堆叠结构；核心区，其在沟道孔内延伸；沟道层，其设置在核心区的侧表面上；第一介电层、数据存储层和第二介电层，其设置在沟道层和栅极层之间；以及焊盘图案，其设置在核心区上、在沟道孔中、并且与沟道层接触。最上栅极层的第一部分的侧表面与沟道层的外侧表面之间的第一水平距离大于最上栅极层的第二部分的侧表面与焊盘图案的外侧表面之间的第二水平距离。