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公开(公告)号：CN107732007B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710679593.2
申请日：2017-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。
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公开(公告)号：CN107665947B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201710631798.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。
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公开(公告)号：CN112054119A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010423728.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基体结构，包括半导体基底；第一导电结构，设置在基体结构上，并且在第一方向上延伸，第一导电结构包括下层，并且下层之中的至少一个下层包括碳；数据存贮材料图案，设置在第一导电结构上。所述半导体器件还包括：中间导电图案，设置在数据存贮材料图案上并且包括中间层，中间层之中的至少一个中间层包括碳；开关材料图案，设置在中间导电图案上；以及开关上电极图案，设置在开关材料图案上并且包括碳。所述半导体器件还包括：第二导电结构，设置在开关上电极图案上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及孔间隔件，设置在数据存贮材料图案的侧表面上。
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公开(公告)号：CN107732007A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710679593.2
申请日：2017-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/16
Abstract: 本发明公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法，其中该可变电阻存储器件包括位于基板之上的第一导电线。每个第一导电线在第一方向上延伸并且第一导电线设置在第二方向上。每个第二导电线在第二方向上延伸并且第二导电线在第一方向上设置。第二导电线位于第一导电线之上。存储单元位于第一导电线和第二导电线之间。存储单元在第三方向上交叠第一导电线和第二导电线。存储单元包括第一电极、位于第一电极上的可变电阻图案以及位于可变电阻图案上的第二电极。选择图案位于每个存储单元上。第三电极位于选择图案之上。第三电极与每个第二导电线的下表面直接接触。
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公开(公告)号：CN110875429A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910831757.8
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种开关元件、一种可变电阻存储器装置以及一种制造开关元件的方法。所述开关元件包括：在衬底上的下阻挡电极、在下阻挡电极上的开关图案以及在开关图案上的上阻挡电极。下阻挡电极包括：第一下阻挡电极层以及插入在第一下阻挡电极层和开关图案之间的第二下阻挡电极层，第二下阻挡电极层的密度不同于第一下阻挡电极层的密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216543A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810730781.8
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2463 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/00
Abstract: 一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。
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公开(公告)号：CN107689242A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710657323.1
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: H01L45/1641 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , G11C13/0002 , G11C13/0021
Abstract: 本发明公开了一种形成包括存储单元阵列的半导体器件的方法，该方法可以包括对存储阵列的一个或更多个存储单元执行开关烧制操作从而导致与存储单元中的阈值开关器件相关的阈值电压分布被减小。开关器件烧制操作可以被执行使得阈值电压分布被减小同时保持所述一个或更多个阈值开关器件处于非晶态。对阈值开关器件执行开关器件烧制操作可以包括加热阈值开关器件、施加电压到阈值开关器件、施加电流到阈值开关器件、其一些组合等等。
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公开(公告)号：CN107689242B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201710657323.1
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种形成包括存储单元阵列的半导体器件的方法，该方法可以包括对存储阵列的一个或更多个存储单元执行开关烧制操作从而导致与存储单元中的阈值开关器件相关的阈值电压分布被减小。开关器件烧制操作可以被执行使得阈值电压分布被减小同时保持所述一个或更多个阈值开关器件处于非晶态。对阈值开关器件执行开关器件烧制操作可以包括加热阈值开关器件、施加电压到阈值开关器件、施加电流到阈值开关器件、其一些组合等等。
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公开(公告)号：CN107665947A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710631798.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2427 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/76 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/141
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。
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