-
公开(公告)号：CN107689419B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
-
公开(公告)号：CN108666417A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810257802.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1-U)[X]U……(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
-
公开(公告)号：CN107644934A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U)[N]U-------------------------------(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
-
公开(公告)号：CN108666417B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810257802.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1‑U)[X]U···(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
-
公开(公告)号：CN111192613A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911050560.7
申请日：2019-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了存储器器件和存储器单元。该存储器器件包括字线、与字线交叉的位线、以及在字线和位线的交叉处的存储器单元。该存储器单元包括连接到字线的第一电极、连接到位线的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的选择元件层。该选择元件层包括Ge-Se-Te、Ge-Se-Te-As和Ge-Se-Te-As-Si中的一种，并且Ge-Se-Te-As和Ge-Se-Te-As-Si中的每种的砷(As)成分的组分比率大于0.01且小于0.17。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110875429A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910831757.8
申请日：2019-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种开关元件、一种可变电阻存储器装置以及一种制造开关元件的方法。所述开关元件包括：在衬底上的下阻挡电极、在下阻挡电极上的开关图案以及在开关图案上的上阻挡电极。下阻挡电极包括：第一下阻挡电极层以及插入在第一下阻挡电极层和开关图案之间的第二下阻挡电极层，第二下阻挡电极层的密度不同于第一下阻挡电极层的密度。
-
公开(公告)号：CN110875069A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910645716.X
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一导线，在第一方向上延伸；第二导线，在第二方向上延伸；以及多个存储器单元，均布置在第一导线与第二导线之间，并且均包括可变电阻存储器层和开关材料图案。开关材料图案包括：元素注入区域，布置在开关材料图案的外部区域中；以及内部区域，被元素注入区域覆盖。内部区域包含第一含量的来自砷(As)、硫(S)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一种元素，元素注入区域包含第二含量的来自As、S、Se和Te中的所述至少一种元素，并且第二含量具有所述至少一种元素的含量远离开关材料图案的至少一个表面而降低的分布曲线。
-
公开(公告)号：CN107689419A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L23/528 , H01L27/224 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/142
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
-
公开(公告)号：CN110875069B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910645716.X
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器装置，所述存储器装置包括：第一导线，在第一方向上延伸；第二导线，在第二方向上延伸；以及多个存储器单元，均布置在第一导线与第二导线之间，并且均包括可变电阻存储器层和开关材料图案。开关材料图案包括：元素注入区域，布置在开关材料图案的外部区域中；以及内部区域，被元素注入区域覆盖。内部区域包含第一含量的来自砷(As)、硫(S)、硒(Se)和碲(Te)中的至少一种元素，元素注入区域包含第二含量的来自As、S、Se和Te中的所述至少一种元素，并且第二含量具有所述至少一种元素的含量远离开关材料图案的至少一个表面而降低的分布曲线。
-
公开(公告)号：CN114079005A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110918866.0
申请日：2021-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置包括覆盖半导体衬底上的电路元件的下绝缘结构和下绝缘结构上的上结构。上结构包括第一导线与第二导线之间的存储器单元结构。第一导线在第一水平方向上延伸，第二导线在第二水平方向上延伸。存储器单元结构包括在竖直方向上重叠的至少三个电极图案、数据存储材料图案和选择器材料图案。选择器材料图案包括阈开关材料和金属材料。阈开关材料包括锗(Ge)、砷(As)和硒(Se)，并且金属材料包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。金属材料的含量大于0原子％且小于2原子％。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.052 seconds)
