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公开(公告)号：CN112306898B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010391904.7
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种存储设备、其操作方法和包括其的电子设备。所述存储设备包括非易失性存储器和控制器，所述非易失性存储器包括主元数据区域和日志区域。所控制器通过执行存储在工作存储器中的闪存转换层(FTL)来更新地址映射表，所述地址映射表包括被划分为多个片段的多个页映射条目；将所述多个页映射条目中的更新后的页映射条目作为日志数据存储在所述日志区域中；并且将所述多个片段存储在所述主元数据区域中，所述多个片段均具有小于所述非易失性存储器的物理页的大小。
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公开(公告)号：CN112988627B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011362480.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储，其包括第一区域和第二区域；存储控制器，其控制非易失性存储的操作；以及缓冲存储器，其连接到存储控制器。存储控制器将从主机设备接收的用户数据存储在第二区域中，将与用户数据的管理相关联且由主机设备的文件系统生成的元数据存储在第一区域中，响应于与元数据相关联的索引节点(inode)的地址信息将元数据从第一区域加载到缓冲器，并使用加载到缓冲存储器的元数据访问第二区域中的目标数据。
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公开(公告)号：CN112988627A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011362480.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储，其包括第一区域和第二区域；存储控制器，其控制非易失性存储的操作；以及缓冲存储器，其连接到存储控制器。存储控制器将从主机设备接收的用户数据存储在第二区域中，将与用户数据的管理相关联且由主机设备的文件系统生成的元数据存储在第一区域中，响应于与元数据相关联的索引节点(inode)的地址信息将元数据从第一区域加载到缓冲器，并使用加载到缓冲存储器的元数据访问第二区域中的目标数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114077548A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110802446.6
申请日：2021-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种电子装置包括：非易失性存储器；存储器控制器，其被配置为控制非易失性存储器；以及连接到存储器控制器的主机。存储器控制器被配置为：响应于从主机接收到的第一写入信号，向非易失性存储器提供第一写入信号，非易失性存储器被配置为：基于提供的第一写入信号来执行写入操作，基于执行写入操作的结果生成第一元数据，并且向主机提供生成的第一元数据。主机被配置为：使用基于提供的第一元数据或第一写入信号被训练的神经网络模型，确定出是否执行非易失性存储器的垃圾收集，响应于确定执行垃圾收集，向存储器控制器提供垃圾收集请求信号。
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公开(公告)号：CN112306898A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010391904.7
申请日：2020-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种存储设备、其操作方法和包括其的电子设备。所述存储设备包括非易失性存储器和控制器，所述非易失性存储器包括主元数据区域和日志区域。所控制器通过执行存储在工作存储器中的闪存转换层(FTL)来更新地址映射表，所述地址映射表包括被划分为多个片段的多个页映射条目；将所述多个页映射条目中的更新后的页映射条目作为日志数据存储在所述日志区域中；并且将所述多个片段存储在所述主元数据区域中，所述多个片段均具有小于所述非易失性存储器的物理页的大小。
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公开(公告)号：CN115248748A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210441483.3
申请日：2022-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/14
Abstract: 公开了一种存储装置和操作该存储装置的方法。第一固件元数据和第二固件元数据基于存储在非易失性存储器装置中的非易失性元数据。可执行正常操作，正常操作包括导致第一固件元数据的变化的第一管理操作和访问非易失性存储器装置的访问操作。执行虚拟操作，虚拟操作包括导致第二固件元数据的变化的第二管理操作，并且在虚拟操作中不执行访问操作。通过将由第一管理操作导致的第一固件元数据的变化与由第二管理操作导致的第二固件元数据的变化进行比较来确定在第一固件元数据中是否出现了错误。可以通过冗余地执行导致元数据的变化的管理操作而不对应地访问非易失性存储器装置来监视元数据中的错误。
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公开(公告)号：CN113760779A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110619884.9
申请日：2021-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器控制器、操作存储器控制器的方法以及包括存储器控制器的存储装置。该方法包括：对非易失性存储器执行第一操作；将与在执行第一操作时执行的多段代码相对应的第一代码路径存储在历史缓冲器中；将第一代码路径与同第一操作相关的多个参考代码路径进行比较；以及基于比较的结果来识别第一操作是否被异常执行。
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公开(公告)号：CN102610618A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210009563.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；定位在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；连接至栅线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管的栅电极与薄膜晶体管的半导体之间的栅绝缘层；连接至薄膜晶体管的像素电极；以及定位在像素电极与薄膜晶体管之间的钝化层，其中，栅绝缘层和钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且氮化硅层包括小于2×1022原子数/cm3或4原子％的氢含量。
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