公开(公告)号：CN103247695A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310044202.1

申请日：2013-02-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李哉勋 ,  郑在现

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请公开了一种氮化物基异质结半导体器件及其制造方法。所述氮化物基异质结半导体器件包括：布置在衬底上的氮化镓层；布置在所述氮化镓层上的铝掺杂氮化镓层；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第一区域中的肖特基电极；布置在所述铝掺杂氮化镓层上的第二区域中的氮化铝镓层；以及布置在所述氮化铝镓层上的欧姆电极。所述第一区域不同于所述第二区域。

公开(公告)号：CN104051463B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410097490.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在浚 ,  郑在现

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：第一导电类型的半导体基板；网孔型栅电极，在基板之上，包括在第一方向上延伸的第一部分和在交叉第一方向的第二方向上延伸的第二部分。网孔型栅电极可以具有多个开口；以及第二导电类型的源极区和漏极区，在相应于开口的位置处的基板中在第一方向和第二方向上交替地布置。

公开(公告)号：CN104051463A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410097490.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张在浚 ,  郑在现

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/4238 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：第一导电类型的半导体基板；网孔型栅电极，在基板之上，包括在第一方向上延伸的第一部分和在交叉第一方向的第二方向上延伸的第二部分。网孔型栅电极可以具有多个开口；以及第二导电类型的源极区和漏极区，在相应于开口的位置处的基板中在第一方向和第二方向上交替地布置。