竖直型非易失性存储器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN113053907A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202010975063.4

    申请日:2020-09-16

    Abstract: 提供了一种竖直型非易失性存储器装置及其制造方法,该竖直型非易失性存储器装置包括:衬底,其具有块单元的单元阵列区域和扩展区域;竖直接触件,其设置在扩展区域中;多个竖直沟道结构,其设置在在单元阵列区域中的衬底上;多个伪沟道结构,其设置在扩展区域中的衬底上;以及多个栅电极层和多个层间绝缘层,其交替地堆叠在衬底上。在连接至竖直接触件的电极焊盘中,伪沟道结构设置在竖直接触件的两侧,并且多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在一个方向上更长的形状。

    显影装置以及包括显影装置的图像形成设备

    公开(公告)号:CN102375379A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110224742.9

    申请日:2011-08-08

    Inventor: 朴钟炫

    CPC classification number: G03G15/0812

    Abstract: 本发明提供了一种显影装置及包括显影装置的图像形成设备。该显影装置使用包括调色剂和载体的显影剂,其中该显影装置包括:显影辊,将显影剂附着到显影辊的外周表面并将显影剂转移到显影区,在该显影区中显影辊面对光感受器;以及调节部分,调节转移到显影区的显影剂的量,其中调节部分包括第一调节部分、第二调节部分和第三调节部分,第一调节部分、第二调节部分和第三调节部分在与显影辊的旋转方向相反的方向上以所述顺序依次设置,其中第一调节部分、第二调节部分和第三调节部分分别与显影辊的外周表面间隔开第一间距、第二间距和第三间距,第二间距大于第三间距,第三间距沿显影辊的旋转方向变窄。

    显影装置以及包括显影装置的图像形成设备

    公开(公告)号:CN102375379B

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201110224742.9

    申请日:2011-08-08

    Inventor: 朴钟炫

    CPC classification number: G03G15/0812

    Abstract: 本发明提供了一种显影装置及包括显影装置的图像形成设备。该显影装置使用包括调色剂和载体的显影剂,其中该显影装置包括:显影辊,将显影剂附着到显影辊的外周表面并将显影剂转移到显影区,在该显影区中显影辊面对光感受器;以及调节部分,调节转移到显影区的显影剂的量,其中调节部分包括第一调节部分、第二调节部分和第三调节部分,第一调节部分、第二调节部分和第三调节部分在与显影辊的旋转方向相反的方向上以所述顺序依次设置,其中第一调节部分、第二调节部分和第三调节部分分别与显影辊的外周表面间隔开第一间距、第二间距和第三间距,第二间距大于第三间距,第三间距沿显影辊的旋转方向变窄。

    供应显影剂的设备和方法

    公开(公告)号:CN101308350A

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200810083416.9

    申请日:2008-03-05

    Inventor: 朴钟炫

    CPC classification number: G03G15/0822 G03G15/0808

    Abstract: 图像形成设备、显影剂供应设备及其方法的实施例可根据图像打印条件、环境状态和/或显影剂量而控制显影剂输送速度,以基本上维持显影剂的稳定量或供应量。该显影剂可包括具有调色剂和载体的双组分显影剂。

    半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统

    公开(公告)号:CN117500275A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202310946830.2

    申请日:2023-07-31

    Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括第一半导体结构和第二半导体结构,该第一半导体结构包括第一基板和电路器件,该第二半导体结构包括:第二基板,在第一半导体结构上并具有第一区域和第二区域;多个栅电极,在第一区域中并在第一方向上堆叠,并且在第二区域中在第二方向上延伸不同的长度;沟道结构,通过穿透所述多个栅电极而延伸;分隔区域,穿透所述多个栅电极,在第二方向上延伸,在第三方向上彼此间隔开,并限定中心块区域和边缘块区域;以及基板绝缘层,在第二基板中且在第二区域中的分隔区域之间。基板绝缘层在第三方向上的宽度在边缘块区域中比在中心块区域中大。

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