公开(公告)号：CN117500275A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310946830.2

申请日：2023-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金是完 ,  林周圆 ,  朴钟炫 ,  李昭悧 ,  朴凤泰 ,  沈载株

IPC: H10B43/35 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C16/04 ,  H10B43/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括第一半导体结构和第二半导体结构，该第一半导体结构包括第一基板和电路器件，该第二半导体结构包括：第二基板，在第一半导体结构上并具有第一区域和第二区域；多个栅电极，在第一区域中并在第一方向上堆叠，并且在第二区域中在第二方向上延伸不同的长度；沟道结构，通过穿透所述多个栅电极而延伸；分隔区域，穿透所述多个栅电极，在第二方向上延伸，在第三方向上彼此间隔开，并限定中心块区域和边缘块区域；以及基板绝缘层，在第二基板中且在第二区域中的分隔区域之间。基板绝缘层在第三方向上的宽度在边缘块区域中比在中心块区域中大。

公开(公告)号：CN117479536A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310893778.9

申请日：2023-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹泳植 ,  李东植 ,  金是完 ,  李昭悧 ,  朴凤泰 ,  沈载株

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40

Abstract: 一种半导体器件，包括外围电路区和存储单元区。存储单元区可以包括：堆叠结构，包括在竖直方向上重复且交替地堆叠的栅电极和层间绝缘层；以及沟道结构，穿透堆叠结构。栅电极可以包括第一栅电极、第一栅电极上的第二栅电极、以及第二栅电极上的第三栅电极。每一个第一栅电极可以具有第一厚度。每一个第二栅电极的第二厚度可以大于第一厚度。每一个第三栅电极的第三厚度可以小于第二厚度。