公开(公告)号：CN113053907A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202010975063.4

申请日：2020-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具利恩 ,  李允雅 ,  金善煐 ,  朴庆宰 ,  朴钟炫 ,  李宝罗 ,  任钟皓

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 提供了一种竖直型非易失性存储器装置及其制造方法，该竖直型非易失性存储器装置包括：衬底，其具有块单元的单元阵列区域和扩展区域；竖直接触件，其设置在扩展区域中；多个竖直沟道结构，其设置在在单元阵列区域中的衬底上；多个伪沟道结构，其设置在扩展区域中的衬底上；以及多个栅电极层和多个层间绝缘层，其交替地堆叠在衬底上。在连接至竖直接触件的电极焊盘中，伪沟道结构设置在竖直接触件的两侧，并且多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在一个方向上更长的形状。

公开(公告)号：CN109087919B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201810534936.0

申请日：2018-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具利恩 ,  郑在皓 ,  梁宇成 ,  李呈焕 ,  卢仁洙 ,  李璿婴

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/10

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。

公开(公告)号：CN109087919A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810534936.0

申请日：2018-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具利恩 ,  郑在皓 ,  梁宇成 ,  李呈焕 ,  卢仁洙 ,  李璿婴

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。