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公开(公告)号：CN119730424A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411646760.X
申请日：2021-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个像素，每个像素包括位于所述衬底中的光电转换层；像素分离图案，所述像素分离图案设置在所述衬底中并分离所述像素；表面绝缘层，所述表面绝缘层设置在所述衬底的所述第一表面上；导体接触，所述导体接触设置在所述表面绝缘层中；和网格图案，所述网格图案设置在所述表面绝缘层上，其中，所述像素分离图案包括在与所述衬底的所述第一表面平行的方向上布置的第一部分和第二部分，并且所述导体接触介于所述像素分离图案的所述第一部分与所述网格图案之间，并且不介于所述像素分离图案的所述第二部分与所述网格图案之间。
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公开(公告)号：CN108695346A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810073539.8
申请日：2018-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14667 , H01L27/14689 , H01L27/14694 , H01L27/14605 , H01L27/14645
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，其包括布置成二维阵列结构的多个像素并具有正面和与正面相反的背面；布置在基板的正面上的互连；布置在基板的背面上的绝缘层、滤色器和微透镜；设置在基板中的像素分离结构，像素分离结构包括在图像传感器的俯视图中具有网格结构的导电层并且围绕所述多个像素的每个；以及背面接触，其与像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分垂直地重叠并电连接到像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分。
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公开(公告)号：CN101847645B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201010144068.9
申请日：2010-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴炳俊
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L2224/48227 , H04N5/2257
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：基板；布线结构，形成在基板的前侧上且包括多个布线层和多个绝缘膜；第一阱，形成在基板内且具有第一导电型；以及第一金属布线层，直接接触基板的后侧且构造为向第一阱施加第一阱偏压。
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公开(公告)号：CN100481495C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN03124188.3
申请日：2003-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴炳俊
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66636 , H01L29/0653
Abstract: 一种集成电路晶体管结构可以包括衬底上的栅电极和衬底中的靠近栅电极的源/漏区。与衬底分离的抗穿通层靠近源/漏区。
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公开(公告)号：CN118412358A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311644163.9
申请日：2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了具有堆叠结构的图像传感器及其制造方法，所述图像传感器可以包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片包括像素区域和外围区域，像素区域包括多个像素，第二半导体芯片结合到第一半导体芯片的下表面，第二半导体芯片包括多个逻辑元件，像素区域包括多个滤色器和在像素区域中的栅栏，多个滤色器对应于多个像素，栅栏具有网格图案，并且多个滤色器中的每个滤色器通过栅栏彼此分开，外围区域包括屏蔽区域和屏蔽外区域，屏蔽区域围绕像素区域，以及包括在屏蔽外区域中的栅栏绝缘层，栅栏绝缘层包括与栅栏相同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113555378A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110396053.X
申请日：2021-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；多个像素，每个像素包括位于所述衬底中的光电转换层；像素分离图案，所述像素分离图案设置在所述衬底中并分离所述像素；表面绝缘层，所述表面绝缘层设置在所述衬底的所述第一表面上；导体接触，所述导体接触设置在所述表面绝缘层中；和网格图案，所述网格图案设置在所述表面绝缘层上，其中，所述像素分离图案包括在与所述衬底的所述第一表面平行的方向上布置的第一部分和第二部分，并且所述导体接触介于所述像素分离图案的所述第一部分与所述网格图案之间，并且不介于所述像素分离图案的所述第二部分与所述网格图案之间。
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公开(公告)号：CN111989962A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026034.9
申请日：2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及用于支持在诸如LTE的4G通信系统之后的更高数据速率的5G或预5G的通信系统。根据一实施例，一种无线通信系统中的基站的方法，包括：在要生成的同步块中，识别与所述同步块有关的信号未映射到的资源，确定是否将特定信号映射到所识别出的资源，并向终端发送基于确定的结果生成的同步块。
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公开(公告)号：CN111801966A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980015552.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及用于支持比诸如LTE的4G通信系统更高的数据传输速率的5G或预5G通信系统。一种用于发送和接收数据的方法，包括以下步骤：在第一窄带上接收第一同步块；标识指示第一窄带未被分配给终端的指示符是否包括在第一同步块中；以及如果指示第一窄带未被分配给终端的指示符不包括在第一同步块中，则在第一窄带中执行同步。
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公开(公告)号：CN103456683A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310210045.7
申请日：2013-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/7682 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/022408 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了形成通孔结构、制造图像传感器和集成电路器件的方法。提供了制造包括通孔结构的集成电路器件的方法。该方法可以包括：形成穿过衬底的隔离槽以形成由隔离槽围绕的内部衬底；以及在隔离槽中以及在衬底的表面上形成绝缘层。该方法还可以包括：形成孔，该孔与隔离槽间隔开并穿过绝缘层的形成于衬底的表面上的部分和内部衬底；以及在孔中和在形成于衬底的表面上的绝缘层上形成导电层。该方法可以用于制造图像传感器。
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公开(公告)号：CN119605139A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380059245.9
申请日：2023-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L27/26
Abstract: 根据实施例，一种由射频单元（RU）执行的方法可以包括从分布式单元（DU）接收包括用于指示频率偏移信息和子载波间隔（SCS）的帧结构信息的控制面（C面）消息的操作。该方法可以包括识别多个频率偏移因子当中的频率偏移因子的操作。该方法可以包括获取与所述频率偏移信息、所述SCS和所述频率偏移因子的乘积相对应的频率偏移值的操作。该方法可以包括基于所述频率偏移值发送下行链路信号。所述多个频率偏移因子可以包括“0.5”和“0.25”。
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