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公开(公告)号：CN114078490A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110641034.9
申请日：2021-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/06 , G11C7/10 , G11C16/04 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，设置在包括沿第一水平方向设置的主区域和高速缓存区域的页面缓冲器区域，并且包括在主区域中沿第二水平方向彼此相邻的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元。第一页面缓冲器单元的第一读出节点包括第一下金属图案和第一上金属图案，第一上金属图案电连接到第一下金属图案。第二页面缓冲器单元的第二读出节点包括第二下金属图案和第二上金属图案，第二上金属图案电连接到第二下金属图案，并且在第二水平方向上不与第一上金属图案相邻。
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公开(公告)号：CN116916649A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211444569.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 提供了一种半导体存储装置的有源电阻器阵列，所述有源电阻器阵列包括：第一有源电阻器，在第一有源电阻器区中；第二有源电阻器，在第一有源电阻器区中并且与第一有源电阻器平行布置，隔离元件层置于第一有源电阻器与第二有源电阻器之间；第三有源电阻器，形成在第二有源电阻器区中；第一选择晶体管，形成在第一选择晶体管区中并且连接到第二有源电阻器；以及第二选择晶体管，形成在第二选择晶体管区中并且连接到第三有源电阻器。第一选择晶体管和第二选择晶体管连接到同一栅极层。第一选择晶体管和第二选择晶体管的栅极层位于隔离元件层上。由于示例实施例可以帮助确保布局图案的均匀性，因此由于工艺变化的减少而可以改善有源电阻的分布。
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公开(公告)号：CN115440739A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210611593.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11551 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路区域，包括位于衬底上的电路元件，所述电路元件是用于提供页缓冲器和行译码器的元件；以及单元区域，包括栅电极层和沟道结构，所述栅电极层在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上堆叠并连接到行译码器，所述沟道结构在所述第一方向上延伸以穿透所述栅电极层并连接到所述页缓冲器。所述行译码器包括在第一电源电压下操作的高电压元件和在比所述第一电源电压低的第二电源电压下操作的低电压元件。在所述高电压元件当中，至少一个第一高电压元件位于掺杂有具有第一导电类型的杂质的第一阱区中。至少一个所述低电压元件位于围绕所述第一阱区并掺杂有具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质的第二阱区中。
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公开(公告)号：CN109659306A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811183812.9
申请日：2018-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/11582 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/24 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 本公开提供了竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法，所述装置包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；在第二方向上延伸的位线，所述位线在与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及位线接触部分，它们分别将竖直沟道与位线电连接，其中，每个单元区包括被构造为在第二方向上电隔离单元区的子隔离区，子隔离区在第一方向上延伸，在每个单元区中，竖直沟道根据在第二方向上与子隔离区相距的距离分为多类，并且位线接触部分被构造为将每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。
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