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公开(公告)号：CN116916649A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211444569.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B10/00
Abstract: 提供了一种半导体存储装置的有源电阻器阵列，所述有源电阻器阵列包括：第一有源电阻器，在第一有源电阻器区中；第二有源电阻器，在第一有源电阻器区中并且与第一有源电阻器平行布置，隔离元件层置于第一有源电阻器与第二有源电阻器之间；第三有源电阻器，形成在第二有源电阻器区中；第一选择晶体管，形成在第一选择晶体管区中并且连接到第二有源电阻器；以及第二选择晶体管，形成在第二选择晶体管区中并且连接到第三有源电阻器。第一选择晶体管和第二选择晶体管连接到同一栅极层。第一选择晶体管和第二选择晶体管的栅极层位于隔离元件层上。由于示例实施例可以帮助确保布局图案的均匀性，因此由于工艺变化的减少而可以改善有源电阻的分布。
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