公开(公告)号：CN100456430C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410089626.0

申请日：2004-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奇丸 ,  宋钟国 ,  曹模炫 ,  曹晟豪 ,  李善宰 ,  林平浩 ,  曹东煜

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67034

Abstract: 一种通过提供干燥流体与清洗液比率例如N2蒸汽与IPA蒸汽的比率的更高级控制增加器件成品率的用于清洗和干燥半导体晶片的系统和方法。此外，采用了快速排放处理，以增加处理量，以及进一步增强清洗和干燥步骤过程中的颗粒和水印去除。

公开(公告)号：CN101013663A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710008396.4

申请日：2007-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳埾 ,  许东澈 ,  曹模炫

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67086

Abstract: 提供了一种在化学池中具有加热部分的基片湿法处理设备及使用该设备对用于基片湿法处理的化学物质加热的方法。所述设备包括化学池，化学池含有用于基片湿法处理的化学物质。加热部分安装在化学池中，并且加热部分包括加热元件和容纳加热元件的外壳。在外壳中填充惰性气体。

公开(公告)号：CN1612303A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410089626.0

申请日：2004-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴奇丸 ,  宋钟国 ,  曹模炫 ,  曹晟豪 ,  李善宰 ,  林平浩 ,  曹东煜

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67034

Abstract: 一种通过提供干燥流体与清洗液比率例如N2蒸汽与IPA蒸汽的比率的更高级控制增加器件成品率的用于清洗和干燥半导体晶片的系统和方法。此外，采用了快速排放处理，以增加处理量，以及进一步增强清洗和干燥步骤过程中的颗粒和水印去除。