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公开(公告)号:CN100456430C
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200410089626.0
申请日:2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67034
Abstract: 一种通过提供干燥流体与清洗液比率例如N2蒸汽与IPA蒸汽的比率的更高级控制增加器件成品率的用于清洗和干燥半导体晶片的系统和方法。此外,采用了快速排放处理,以增加处理量,以及进一步增强清洗和干燥步骤过程中的颗粒和水印去除。
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公开(公告)号:CN1612303A
公开(公告)日:2005-05-04
申请号:CN200410089626.0
申请日:2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/67034
Abstract: 一种通过提供干燥流体与清洗液比率例如N2蒸汽与IPA蒸汽的比率的更高级控制增加器件成品率的用于清洗和干燥半导体晶片的系统和方法。此外,采用了快速排放处理,以增加处理量,以及进一步增强清洗和干燥步骤过程中的颗粒和水印去除。
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