公开(公告)号：CN102737717A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210102111.4

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟泳 ,  崔明勋

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/08 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 根据本发明构思的实施例的非易失性存储器件可以包括：多个存储块；以及传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，将多个驱动信号传送到所述多个存储块当中的被选存储块。传输晶体管阵列包括高电压晶体管，该高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个公用漏极和两个源极。

公开(公告)号：CN102737717B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210102111.4

申请日：2012-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟泳 ,  崔明勋

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/08 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 根据本发明构思的实施例的非易失性存储器件可以包括：多个存储块；以及传输晶体管阵列，其响应于块选择信号，将多个驱动信号传送到所述多个存储块当中的被选存储块。传输晶体管阵列包括高电压晶体管，该高电压晶体管包括在一个有源区中形成的一个公用漏极和两个源极。