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公开(公告)号：CN118210649A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311165096.2
申请日：2023-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作存储设备的方法包括：定期地对存储器件执行巡检读取操作；将通过所述巡检读取操作获得的故障信息存储在缓冲存储器中；作为对来自所述存储器件的读取数据执行的第一纠错操作的结果，确定所述读取数据是否具有不可纠正的错误；当确定出所述读取数据具有不可纠正的错误时，从所述缓冲存储器加载所述故障信息；以及通过使用所述故障信息对所述读取数据执行第二纠错操作。
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公开(公告)号：CN109036488A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810230803.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
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公开(公告)号：CN102411987A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110280452.6
申请日：2011-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/10 , G11C16/3404
Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列；自交织器，配置为使用交织方案将数据即时交织和加载到缓冲器电路中；以及控制逻辑，配置为控制存储单元阵列中交织数据的编程。
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公开(公告)号：CN113053441B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011410313.6
申请日：2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。
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公开(公告)号：CN117640054A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310695548.1
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了同态加密运算器、包括其的存储装置及其级别配置方法。同态加密运算器包括：级别配置单元，其被配置为通过根据用于同态加密运算的乘法的比例因子条件和增大或减小连续选择的素数的增大/减小条件选择不同值的多个素数来设定加密级别；以及模乘运算器，其被配置为使用所选多个素数来执行轻量级模乘，其中，级别配置单元包括：级别构造器，其被配置为基于比例因子条件和增大/减小条件来选择数分别具有所选Hamming权重的素数集，并且其中，级别配置单元还被配置为使用素数表以加密级别配置所选素数集。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109036488B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810230803.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
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公开(公告)号：CN116343893A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211110168.9
申请日：2022-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了纠错码(ECC)解码的方法和执行该方法的存储器系统。在纠错码(ECC)解码的方法中，基于正常读取电压从非易失性存储器装置读取正常读取数据，并且对所述正常读取数据执行第一ECC解码。当第一ECC解码失败时，基于与阈值电压的翻转范围对应的翻转读取电压从非易失性存储器装置读取翻转读取数据。通过对所述正常读取数据的位之中的包括在所述翻转范围中的错误候选位进行反转，基于所述翻转读取数据生成纠正后的读取数据，并且对所述纠正后的读取数据执行第二ECC解码。当基于所述正常读取数据的ECC解码失败时，可通过重试基于所述纠正后的读取数据的ECC解码来增强纠错能力。
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公开(公告)号：CN115910171A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210540102.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种计算最佳读取电平的存储器控制器、一种包括存储器控制器的存储器系统、以及一种存储器控制器的操作方法。存储器控制器包括处理器和读取电平计算模块，处理器被配置为控制对存储器件的存储器操作，读取电平计算模块被配置为：接收基于对使用多个电平读取的数据的计数操作生成的N个计数值，N个计数值分别对应于N个读取电平，以从N个读取电平选择的选定读取电平作为输入并且以与选定读取电平相对应的计数值作为输出，建模出至少两个单元计数函数，并且基于从至少两个单元计数函数选择的最佳单元计数函数来计算最佳读取电平，其中，N是等于或大于四的整数，其中，N个计数值包括与不同的至少四个读取电平相对应的计数值。
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公开(公告)号：CN115831202A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211115494.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本文公开了控制存储装置的存储器控制器的操作方法。该方法包括：将写入数据存储在存储装置的第一区域中，提取指示包括在存储在第一区域中的数据中的至少一个错误的位置的第一错误位置信息，将第一错误位置信息存储在存储装置的第二区域中，从存储装置的第一区域读取读取数据；从存储装置的第二区域读取第一错误位置信息，基于第一错误位置信息对读取数据进行改进以生成改进数据，基于改进数据执行软判决解码以生成校正数据，以及输出校正数据。
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公开(公告)号：CN113051098A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011260929.X
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据一种使用机器学习来控制非易失性存储器设备的操作的方法，通过使用机器学习模型执行推断操作来确定非易失性存储器设备的操作条件。收集基于特征信息和错误信息生成的训练数据，其中错误信息指示非易失性存储器设备的错误校正码(ECC)解码的结果。通过基于训练数据执行学习操作来更新机器学习模型。通过在存储系统中收集训练数据并基于训练数据执行学习操作和推断操作来提供针对各个用户环境的最优操作条件。
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