公开(公告)号：CN117954435A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311393560.3

申请日：2023-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容俊

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  G11C5/14 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14

Abstract: 本公开提供了集成电路和非易失性存储器件。在一些实施方式中，一种集成电路包括基板和电容器结构，该电容器结构在垂直方向上设置在基板上方，包括配置为接收第一电压并包括具有第一图案化侧表面的至少一条第一金属线的第一电极、配置为接收第二电压并包括具有第二图案化侧表面的至少一条第二金属线的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的电介质层。所述至少一条第一金属线和所述至少一条第二金属线在第一水平方向上延伸。第一电极、第二电极和电介质层设置在同一层上。所述至少一条第二金属线在第二水平方向上与所述至少一条第一金属线间隔开。

公开(公告)号：CN102411987B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110280452.6

申请日：2011-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔城赫 ,  孙弘乐 ,  孔骏镇 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊

IPC: G11C16/02 ,  G11C29/42

Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列；自交织器，配置为使用交织方案将数据即时交织和加载到缓冲器电路中；以及控制逻辑，配置为控制存储单元阵列中交织数据的编程。

公开(公告)号：CN101740128A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910212121.1

申请日：2009-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承桓 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊 ,  孔骏镇 ,  金宗汉

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储设备以及确定读电压的相关方法。非易失性半导体存储设备包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；读电压确定单元，被配置为通过比较在编程操作期间所获得的参考电压和在后续读操作期间所获得的比较数据，并且基于比较结果将当前读电压改变为新的读电压，来确定最优读电压；以及读电压产生单元，被配置为响应由读电压确定单元所提供的读电压控制信号产生新的读电压。

公开(公告)号：CN101727981A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910204682.7

申请日：2009-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容俊 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  宋承桓 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/16

Abstract: 非易失性存储器设备包括在擦除非易失性(例如，快闪)存储器单元块的操作期间支持存储器单元的恢复。非易失性存储器系统包括快闪存储器设备以及电耦接到快闪存储器设备的存储器控制器。存储器控制器被配置为，通过将第一指令发布到快闪存储器设备、接着将第二指令发布到快闪存储器设备来控制快闪存储器设备内的存储器单元的恢复操作，将第一指令发布到快闪存储器设备导致存储器块中的擦除的存储器单元变为至少部分地编程的存储器单元，将第二指令发布到快闪存储器设备导致至少部分地编程的存储器单元变为全部地被擦除。

公开(公告)号：CN101763895B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN200910253066.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容俊 ,  孔骏镇 ,  金宰弘 ,  赵庆来

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G06F11/1008

Abstract: 一种数据存储设备，其接收写入数据并且包含：控制器，被配置成确定所述写入数据的特征并响应于所确定的特征而提供第一控制信号；随机化器，被配置成响应于所述第一控制信号而选择性地随机化或不随机化所述写入数据，由此生成经随机化的写入数据；以及数据存储单元，被配置成存储所述经随机化的写入数据。

公开(公告)号：CN101740128B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN200910212121.1

申请日：2009-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承桓 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊 ,  孔骏镇 ,  金宗汉

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储设备以及确定读电压的相关方法。非易失性半导体存储设备包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；读电压确定单元，被配置为通过比较在编程操作期间所获得的参考电压和在后续读操作期间所获得的比较数据，并且基于比较结果将当前读电压改变为新的读电压，来确定最优读电压；以及读电压产生单元，被配置为响应由读电压确定单元所提供的读电压控制信号产生新的读电压。

公开(公告)号：CN101840359A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010144746.1

申请日：2010-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰弘 ,  金容俊 ,  孔骏镇 ,  宋承桓

IPC: G06F11/08

CPC classification number: H03M13/618 ,  G06F11/1012 ,  H03M13/13 ,  H03M13/353 ,  H03M13/3738 ,  H03M13/6356 ,  H03M13/6362

Abstract: 一种数据处理系统，包括错误检验和纠正(ECC)编码电路、集成电路存储器和码率控制电路。ECC编码电路被配置成在把写数据转换为编码数据的操作期间，响应于码率选择信号，选择性地把多个唯一的ECC码率施加于数据处理系统所接收的写数据。集成电路存储器其中包括多个存储区域。这些存储区域被配置成从所述ECC编码电路接收编码数据的相应部分。码率控制电路被配置成产生码率选择信号。这个码率选择信号具有规定要被施加于写数据的相应部分的对应ECC码率的值。

公开(公告)号：CN101763895A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910253066.0

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容俊 ,  孔骏镇 ,  金宰弘 ,  赵庆来

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G06F11/1008

Abstract: 一种数据存储设备，其接收写入数据并且包含：控制器，被配置成确定所述写入数据的特征并响应于所确定的特征而提供第一控制信号；随机化器，被配置成响应于所述第一控制信号而选择性地随机化或不随机化所述写入数据，由此生成经随机化的写入数据；以及数据存储单元，被配置成存储所述经随机化的写入数据。

公开(公告)号：CN101098536A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710138867.3

申请日：2007-06-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张基泰 ,  金容俊 ,  金炅泽 ,  金容台 ,  金玟成

IPC: H04Q7/32 ,  H04Q7/38 ,  H04B1/38

CPC classification number: H04W12/12

Abstract: 提供了一种追踪丢失的移动台的方法。该方法包括，当替换的用户标识模块(SIM)卡被安装时，确定该替换的SIM卡是否被注册为许可的替换SIM卡；当该SIM卡未被注册时，发送先前存储的追踪消息给预设的目的地；以及一旦接收到追踪响应短消息，就设置追踪锁定模式以限制该移动台的某些功能的使用。

公开(公告)号：CN102411987A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110280452.6

申请日：2011-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔城赫 ,  孙弘乐 ,  孔骏镇 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊

IPC: G11C16/02 ,  G11C29/42

CPC classification number: G11C11/5621 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3404

Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列；自交织器，配置为使用交织方案将数据即时交织和加载到缓冲器电路中；以及控制逻辑，配置为控制存储单元阵列中交织数据的编程。