公开(公告)号：CN118684603A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410343961.6

申请日：2024-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·金 ,  高行德 ,  金惠兰 ,  南煐敏 ,  宋智永 ,  李昶宪 ,  A·田 ,  蔡贞厦 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: C07C311/20 ,  C07C311/07 ,  C07C311/29 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004

Abstract: 提供有机盐、包括其的光致抗蚀剂组合物和通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法，所述有机盐由下面的式1表示。式1的描述提供在本文中。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN107844439A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710839503.1

申请日：2017-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金惠兰 ,  吴台荣

IPC: G06F13/16

Abstract: 一种存储设备的操作方法，包括：进入命令总线训练模式；通过将接收的时钟信号分频来产生多个内部时钟信号；根据多个内部时钟信号，通过锁存芯片选择信号来产生多个内部芯片选择信号；基于多个内部芯片选择信号，通过对接收的第一命令/地址信号进行编码，产生第二命令/地址信号；以及输出第二命令/地址信号。

公开(公告)号：CN101572118B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200910137861.3

申请日：2009-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大贤 ,  朴光一 ,  金敬镐 ,  金贤真 ,  金惠兰

IPC: G11C11/4063 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/408

CPC classification number: G11C8/18 ,  G11C7/08 ,  G11C8/12 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4091

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器装置及其存取方法。示例实施例提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置可以包括：单元阵列，设置为多个行和多个列；以及读出放大器，响应于与存取时间相对应的写命令和读命令对单元阵列进行写操作和读操作，存取时间的时段可以是可变的。读出放大器根据存取时间的时段来调节写入数据和读出数据的脉冲宽度。

公开(公告)号：CN101001258A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610168600.4

申请日：2006-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权大亨 ,  文刚英 ,  林惠淑 ,  金惠兰 ,  金善琦 ,  文柱亨 ,  金沅浈 ,  池瑞英 ,  秋哈娜

IPC: H04L29/06 ,  H04L12/56 ,  H04L12/46

CPC classification number: H04W80/04 ,  H04L69/12

Abstract: 一种支持移动因特网协议版本6(IPv6)的设备包括：移动接收处理器，适于输出移动节点和通信节点的归属地址、或者移动相关报头信息；绑定高速缓存器，用于存储由移动节点接收的绑定信息；绑定更新列表，用于存储由移动节点发送的绑定信息；绑定接收机，用于接收由通信节点创建的绑定消息，接收关于移动节点和通信节点的归属地址信息，以及将与绑定消息相关的信息提供至绑定高速缓存器和所述绑定更新列表；绑定发送机，用于接收创建绑定消息的请求，使用所计算的校验和来组合数据，以及创建并输出所请求的绑定消息；以及移动发送处理器，用于确定绑定更新或绑定确认的报头的类型，以及创建并输出移动IPv6报头。

公开(公告)号：CN117316216A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310091427.6

申请日：2023-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李起源 ,  金成来 ,  姜吉荣 ,  金惠兰 ,  吴致成

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/10

Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括序列数据生成器和码元改变器，序列数据生成器被配置为生成关于多条数据线的序列数据。码元改变器被配置为通过针对所述多条数据线中的每条用替代码元替换序列数据内具有预定码元的每个位流来从序列数据生成训练模式。序列数据生成器可包括序列生成器，序列生成器被配置为基于每个时钟循环的种子值来生成伪随机二进制序列(PRBS)。

公开(公告)号：CN116165842A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211385369.X

申请日：2022-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻相 ,  高行德 ,  H.金 ,  郭允铉 ,  金惠兰 ,  李恩庆 ,  A.田

IPC: G03F7/004 ,  C08F220/38 ,  C08F220/18

Abstract: 提供光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物以及通过使用光酸产生剂形成图案的方法。所述光酸产生剂包括在曝光时产生酸的单体和酸不稳定单体的共聚物，所述酸不稳定单体对于显影溶剂的溶解性通过经由酸的分解而改变，其中所述共聚物由式1表示，其中，在式1中，x、y、L、A‑、B+、R1、R2、和R3各自与详细描述中所描述的相同。[式1]

公开(公告)号：CN114974348A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210159293.2

申请日：2022-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东锡 ,  金善瑛 ,  金惠兰 ,  李泰允 ,  赵成龙

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/408

Abstract: 提供了存储装置及存储装置的操作方法。操作方法包括：从存储控制器接收激活‑刷新命令；从激活‑刷新命令解码目标地址和内部命令；以及基于内部命令针对目标地址执行激活操作，并且对目标地址不属于的至少一个块执行刷新操作。

公开(公告)号：CN108008805A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711045809.6

申请日：2017-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔娟圭 ,  吴起硕 ,  申丞濬 ,  金惠兰

IPC: G06F1/32

CPC classification number: G06F3/0634 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0673 ,  G11C11/40615 ,  G11C11/4074 ,  G11C2211/4067 ,  G06F1/3234

Abstract: 本发明提供一种控制多个低功率状态的方法和存储器装置。所述方法包含：进入低功率模式状态，其中响应于低功率状态进入命令刷新存储器装置的存储器单元行并且功率消耗低于在自身刷新模式状态中的功率消耗；以及基于在存储器装置的模式寄存器中设置的低功率模式退出时延时间，或警报信号和低功率模式退出命令中的至少一个，退出所述低功率模式状态。通过使用多个低功率状态，可最大化节省存储器装置的功率消耗。

公开(公告)号：CN107919153A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710890589.0

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金惠兰 ,  全成桓 ,  吴台荣

IPC: G11C11/4076

CPC classification number: G11C7/222 ,  G06F1/12 ,  G06F13/1689 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/1093 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4093 ,  G11C2207/2254

Abstract: 一种存储系统、存储装置及其执行的时钟同步方法，可实现存储装置的时钟同步操作。存储装置包括：第一时钟接收器，被配置成接收第一时钟信号；第二时钟接收器，被配置成在输入数据或输出数据时接收第二时钟信号，其中第二时钟信号在前同步码周期中具有第一时钟频率、且在前同步码周期之后具有与第一时钟频率不同的第二时钟频率；命令解码器，被配置成接收与第一时钟信号同步的时钟同步命令并产生时钟同步信号，其中时钟同步信号是在前同步码周期期间产生；以及时钟同步电路，被配置成响应于第二时钟信号而产生多个分频时钟信号，在前同步码周期期间锁存时钟同步信号，并根据锁存的结果而选择性地提供多个分频时钟信号作为内部数据时钟信号。

公开(公告)号：CN119832968A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411015859.X

申请日：2024-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋侑贞 ,  金成来 ,  金惠兰

IPC: G11C29/42

Abstract: 本公开提供了存储器件以及操作存储器件的方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括用以存储数据的多个存储单元；纠错码(ECC)电路；以及错误检查和擦洗(ECS)电路。所述ECC电路从所述存储单元阵列读取数据并且纠正所述数据中的错误。所述ECS电路对所述存储单元阵列执行擦洗操作，向外部电路发送基于所述擦洗操作检测到的错误地址的信号，并且存储被发送的所述错误地址。