公开(公告)号：CN109712952B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN201810539777.3

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔益准 ,  李在彦 ,  郑光玉 ,  高永宽 ,  卞贞洙

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括支撑构件，支撑构件具有腔并且包括布线结构，布线结构使支撑构件的彼此相对的第一表面和第二表面连接。连接构件，位于支撑构件的第二表面上并且包括连接到布线结构的第一重新分布层。半导体芯片，位于连接构件上，位于腔中，并且具有连接到第一重新分布层的连接焊盘。包封件，包封设置于腔中的半导体芯片并且覆盖支撑构件的第一表面。第二重新分布层，位于支撑构件的第一表面上并且包括布线图案和连接过孔，布线图案嵌入在包封件中并且具有暴露的表面，连接过孔贯穿包封件以使布线结构和布线图案彼此连接。

公开(公告)号：CN110970399B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201910890531.5

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光玉

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和无效表面，在所述有效表面上设置有连接焊盘，所述无效表面与所述有效表面背对；第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分，并且具有朝向所述半导体芯片的所述无效表面凹入的一个或更多个凹入部；金属层，设置在所述第一包封剂上，并且填充所述凹入部中的每个的至少一部分；以及互连结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述金属层的与所述第一包封剂接触的表面的表面粗糙度大于所述金属层的与所述第一包封剂间隔开的表面的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN117637656A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311092603.4

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜圭浩 ,  朴亨俊 ,  裵晟训 ,  吴常赫 ,  郑光玉 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体封装。该半导体封装包括：再分布结构，该再分布结构包括多个再分布导电图案、连接到所述多个再分布导电图案中的至少一个的多个导电通路、连接到所述多个导电通路的多个下焊盘、以及与所述多个再分布导电图案交替的多个再分布绝缘层；布置在再分布结构上的半导体芯片；以及附接到再分布结构的所述多个下焊盘的外部连接端子，其中所述多个再分布导电图案中的每个包括含铜的金属层、和布置在金属层的上表面上并包含铜和镍的表层。

公开(公告)号：CN110970399A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910890531.5

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光玉

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和无效表面，在所述有效表面上设置有连接焊盘，所述无效表面与所述有效表面背对；第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分，并且具有朝向所述半导体芯片的所述无效表面凹入的一个或更多个凹入部；金属层，设置在所述第一包封剂上，并且填充所述凹入部中的每个的至少一部分；以及互连结构，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层。所述金属层的与所述第一包封剂接触的表面的表面粗糙度大于所述金属层的与所述第一包封剂间隔开的表面的表面粗糙度。