公开(公告)号：CN107342315A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710257304.X

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 中西俊郎 ,  南甲镇 ,  张立杰

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。

公开(公告)号：CN105514165B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201510658801.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩爱 ,  崔正达 ,  中西俊郎 ,  金有彬 ,  南甲镇 ,  李同规 ,  焦广泛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN105514165A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510658801.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩爱 ,  崔正达 ,  中西俊郎 ,  金有彬 ,  南甲镇 ,  李同规 ,  焦广泛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN102201416B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110086496.5

申请日：2011-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  朴赞真 ,  黄棋铉 ,  崔汉枚 ,  刘东哲 ,  许星会 ,  黄浣植 ,  中西俊郎 ,  朴洸珉 ,  李柱烈

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42348 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件，第一图案垂直延伸以横过电极，第二图案水平延伸以横过半导体图案。