公开(公告)号：CN107331667A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710228177.0

申请日：2017-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  崔汉枚 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1157

CPC classification number: H04L5/0091 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926 ,  H04L1/1812 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种非易失性存储结构包括：水平地延伸的基板；从基板竖直地延伸的填充绝缘图案；多个有源沟道图案，绕填充绝缘图案的周边以Z字形图案从基板竖直地延伸，每个有源沟道图案具有相应的非圆形形状的水平截面；以及多条栅线的竖直堆叠，每个竖直堆叠绕填充绝缘图案和多个有源沟道图案水平地延伸。

公开(公告)号：CN107331667B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201710228177.0

申请日：2017-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  崔汉枚 ,  黄棋铉

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1157

Abstract: 一种非易失性存储结构包括：水平地延伸的基板；从基板竖直地延伸的填充绝缘图案；多个有源沟道图案，绕填充绝缘图案的周边以Z字形图案从基板竖直地延伸，每个有源沟道图案具有相应的非圆形形状的水平截面；以及多条栅线的竖直堆叠，每个竖直堆叠绕填充绝缘图案和多个有源沟道图案水平地延伸。

公开(公告)号：CN102201416B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110086496.5

申请日：2011-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  朴赞真 ,  黄棋铉 ,  崔汉枚 ,  刘东哲 ,  许星会 ,  黄浣植 ,  中西俊郎 ,  朴洸珉 ,  李柱烈

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42348 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件，第一图案垂直延伸以横过电极，第二图案水平延伸以横过半导体图案。

公开(公告)号：CN102201416A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110086496.5

申请日：2011-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  黄棋铉 ,  崔汉枚 ,  朴赞真 ,  许星会

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/42348 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种三维半导体装置及其制造方法。该三维半导体装置包括具有设置在基底上的顺序堆叠的电极的电极结构、穿透电极结构的半导体图案、包括设置在半导体图案和电极结构之间的第一图案和第二图案的存储元件，第一图案垂直延伸以横过电极，第二图案水平延伸以横过半导体图案。