公开(公告)号：CN103681353A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310394909.5

申请日：2013-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 莱斯柏斯·维特斯 ,  汎斯·利塔 ,  马克·凡·戴尔 ,  布兰寇·大卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/45 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 本发明提供包含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置，该方法包括：形成栅极结构于锗为主的沟道层上，锗为主的沟道层位于基板上，且栅极堆叠位于锗为主的沟道层其相反两侧的锗为主的源极区与锗为主的漏极区之间；形成盖层于锗为主的源极区与锗为主的漏极区上，且盖层包括硅与锗；沉积金属层于盖层上；进行温度步骤，使至少部分盖层转变为金属锗硅化物，金属锗硅化物不溶于蚀刻品，且蚀刻品用以溶解金属层；以蚀刻品自基板选择性地移除未消耗的金属层；以及形成金属前介电层。本发明提供的方法，以锗化工艺制作具有锗为主的沟道层以及锗为主的源极与漏极的晶体管装置，并减少形成孔洞。

公开(公告)号：CN103681353B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310394909.5

申请日：2013-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  跨大学校际微电子卓越研究中心

Inventor： 莱斯柏斯·维特斯 ,  汎斯·利塔 ,  马克·凡·戴尔 ,  布兰寇·大卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/45 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 本发明提供包含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置，该方法包括：形成栅极结构于锗为主的沟道层上，锗为主的沟道层位于基板上，且栅极堆叠位于锗为主的沟道层其相反两侧的锗为主的源极区与锗为主的漏极区之间；形成盖层于锗为主的源极区与锗为主的漏极区上，且盖层包括硅与锗；沉积金属层于盖层上；进行温度步骤，使至少部分盖层转变为金属锗硅化物，金属锗硅化物不溶于蚀刻品，且蚀刻品用以溶解金属层；以蚀刻品自基板选择性地移除未消耗的金属层；以及形成金属前介电层。本发明提供的方法，以锗化工艺制作具有锗为主的沟道层以及锗为主的源极与漏极的晶体管装置，并减少形成孔洞。