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公开(公告)号：CN118884201A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410933697.1
申请日：2024-07-12
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: G01R31/327 , G01R31/52 , G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种用于直流输电换流阀用IGCT功能检测装置，包括正向供能单元，供能切换单元，反向供能单元，高压dv/dt脉冲单元，高压输出切换单元，逻辑控制单元，光信号输出单元，衰减取样单元，总输出切换单元；本发明的输出连线少，只需输出A、K两根主线和两根光纤即可以对整个被测IGCT单体阀单元提供电能及需要的各种测试波形；使用该装置可以单次设置完成单体被测IGCT阀单元的正常触发、短路检测、过压保护检测、反向恢复检测、关断检测、反向阻断电压检测、状态回报检测等多种功能测试。
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公开(公告)号：CN118472012A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410707484.7
申请日：2024-06-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司直流技术中心
Inventor： 张磊 , 徐玲铃 , 姚德贵 , 董曼玲 , 张国华 , 魏卓 , 鲁一苇 , 肖超 , 高晟辅 , 陈黄鹂 , 张刚琦 , 纪卫峰 , 刘亿铭 , 王国卫 , 刘峰 , 胡茜 , 梁旭辉
IPC: H01L29/06 , H01L29/745 , H01L29/747 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构及其制造方法，在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本发明还公开了上述GCT终端结构的制造方法，先预沉积铝，然后在终端区选择性挖槽，腐蚀掉部分高浓度铝杂质，最后进行高温扩散形成。本发明的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。
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公开(公告)号：CN118342365A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410631602.0
申请日：2024-05-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片结终端负角小角度磨削装置及磨削方法，包括对中心夹具和同心对准器，同心对准器将芯片对准定位；真空吸片台连接有传动轴组件，传动轴组件内设置有空心真空导管，空心真空导管对芯片抽吸，使芯片被吸附在真空吸片台上；传动轴组件带动真空吸片台旋转运动，且进给驱动系统通过传动轴组件控制真空吸片台轴向移动；本发明的有益效果是：通过片厚测量机构的设置，动态调整加工进给量，减少了片厚误差对加工精度的影响，提高了加工精度，并且通过真空吸片台的设计，使芯片可以牢固定位的同时，其不会受到非磨削损伤，该装置及方法能处理晶闸管芯片结终端负角造型对于同心度、角度、磨削宽度和深度的精确要求。
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公开(公告)号：CN110867420B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201911327217.2
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构，阳极管壳陶瓷壳体的侧面设有一对四分光器连接器，内部通过分光器将1路光信号分配至4个光敏区，分光器能够均匀分配光能量，尽量减少光损失，光纤的末端是四个激光头，通过定位可靠地对准芯片的光敏触发区中心位置。该装置在管壳外部通过输入端连接适配器直接通过外部输入单芯光纤连接用户的控制信号光源，从而实现一路输入、多路输出光信号的分光功能，满足多光敏区光控晶闸管的触发需要。本发明属于特大功率、高di/dt的功率半导体器件，集成了多路光触发装置，解决了光触发信号的引入、分光、触发和芯片定位等工艺技术，实现多光敏区光控晶闸管的封装技术。
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公开(公告)号：CN117810270A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311840261.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种波浪基区结构半导体器件，包括由上至下依次排列的门极p+区、p‑基区和n‑长基区，n‑长基区中心部分向上凸起，p‑基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n‑长基区中心处上凸起的部分相适配，使p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状；本发明的有益效果是：p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状，提高了器件关断时载流子抽取速度，增强了器件关断能力，有利于提升器件安全工作能力，且本工艺采用整面掺杂+局部去除的方式，利于提高径向掺杂参数均匀性，提高产品性能，同时降低技术门槛和生产成本，以较小的技术、经济代价实现设计目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116718887A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310709417.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 , 许继电气股份有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 任城林 , 胡雨龙 , 谢桂泉 , 方苏 , 赖桂森 , 郭卫明 , 陈潜 , 周跃宾 , 韩坤 , 刘堃 , 肖晋 , 邵珠柯 , 黄永瑞 , 张磊 , 王国卫 , 张刚琦 , 纪卫峰 , 罗浩诚
Abstract: 本发明涉及晶闸管检测技术领域，具体为一种具有多环境模拟功能的半导体晶闸管导电检测设备，所述半导体晶闸管导电检测设备包括机身、上料输送带和下料输送带，所述上料输送带和下料输送带相对水平设置在机身的两端，本发明相比于目前的半导体晶闸管导电检测设备设置有分隔机构和模拟座，当分隔机构将密封箱内部环境与外界环境分隔开后，通过模拟座内部设置的模拟组件能够改变密封箱内的环境，例如将密封箱内的环境从室温环境变为真空环境、干燥环境、潮湿环境、高温环境和低温环境等，通过分隔机构和模拟组件的配合使得工作人员能够判断出半导体晶闸管在不同环境下的导电性能，以此方便后续对半导体晶闸管的参数进行标定。
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公开(公告)号：CN107153129B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710451599.4
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明涉及一种螺栓型电力半导体器件自动压装测试夹具，包括主机构框架、压力可调的K引出极机构、螺栓器件的压紧机构，本发明可根据不同的螺栓型半导体器件将其压装于加热板上，并且螺栓器件A、K两极可实现自动连接。通过加热板为被测器件加热，并通过热电偶实时监测器件外壳温度。根据不同高度的器件调整调节螺柱和导杆拉销的位置，以确保螺栓器件A、K电极同时可靠接触；通过更换不同的适配器及定位导电块可实现不同外形螺栓器件的压装要求。本发明目前已应用于螺栓器件全动态试验设备中，也可应用于该器件的其他参数测试及试验中。
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公开(公告)号：CN115966465A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310041049.0
申请日：2023-01-11
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L21/332 , H01L21/285 , H01L21/3213 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及GCT芯片梳条修理工艺方法，先在梳条上蒸一层铝层A，提高梳条与门极区的纵向高度，增加纵向阴极梳条与门极区隔离间隔。然后在梳条和门极区同时再蒸一层铝层B，提高了门极区和梳条图形加工质量，有利于提高芯片的性能；给芯片的上表面覆盖一层光敏聚酰亚铵绝缘保护材料层；然后针对极个别不合格梳条，除了铲除铝层外，还增加了研磨该梳条的工艺方法，使该梳条高度与门极区电极铝层相平；之后在不合格梳条上涂绝缘保护材料，绝缘该梳条，使之不与阴极钼片接触，屏蔽该失效梳条带来的负面影响。使用该工艺方法可以挽救大量芯片，使成品率显著提高。实践还证明，芯片性能未受影响情况下，使用本发明成品率至少提高30％。
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公开(公告)号：CN114400254A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210146872.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种旁路晶闸管及其制造方法，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本发明结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本发明结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
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公开(公告)号：CN113745348A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110955724.1
申请日：2021-08-19
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管及其制备方法，一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管，从上往下依次设置有阳极AL层、阳极高浓度P+区和低浓度P区、低浓度漂移N‑区、高浓度阴极N+区和阴极AL层；所述的阳极区由有源P+区和终端P区构成，其中阳极AL层设置在腐蚀槽上方；所述的腐蚀槽设置在阳极有源区。本发明还公开了该种高压快速软恢复二极管的制备方法。本发明的结构，减小了正向导通压降，浪涌电流能力和反向恢复软度因子明显提高，在正向导通和反向恢复特性之间获得更好折中。
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