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公开(公告)号：CN108490331A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810345051.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一种GCT芯片门/阴极阻断特性圆周法测试台。采用圆周转动测试方法，设计中采用了高精度的三维移动平台、步进电机驱动的旋转平台和探针座，配以CCD视频显微镜进行设备调整和测试过程监控，设计的C型机架和架空平台以构成较好的人机操作结构，配以不同规格专门设计的载片定位夹具满足不同尺寸芯片测试需要。该测试台通过在GCT芯片生产中的应用，在可靠性、检测准确性和高效率等方面满足规模化生产的测试需要。本测试台就是为满足GCT芯片的门/阴极之间数千只二极管特性进行直流电压阻断测试，以高效、准确地筛选出个别失效器件，并做以标识，为后续工艺修补提供可能性。
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公开(公告)号：CN118342365A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410631602.0
申请日：2024-05-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片结终端负角小角度磨削装置及磨削方法，包括对中心夹具和同心对准器，同心对准器将芯片对准定位；真空吸片台连接有传动轴组件，传动轴组件内设置有空心真空导管，空心真空导管对芯片抽吸，使芯片被吸附在真空吸片台上；传动轴组件带动真空吸片台旋转运动，且进给驱动系统通过传动轴组件控制真空吸片台轴向移动；本发明的有益效果是：通过片厚测量机构的设置，动态调整加工进给量，减少了片厚误差对加工精度的影响，提高了加工精度，并且通过真空吸片台的设计，使芯片可以牢固定位的同时，其不会受到非磨削损伤，该装置及方法能处理晶闸管芯片结终端负角造型对于同心度、角度、磨削宽度和深度的精确要求。
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公开(公告)号：CN110867420B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201911327217.2
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构，阳极管壳陶瓷壳体的侧面设有一对四分光器连接器，内部通过分光器将1路光信号分配至4个光敏区，分光器能够均匀分配光能量，尽量减少光损失，光纤的末端是四个激光头，通过定位可靠地对准芯片的光敏触发区中心位置。该装置在管壳外部通过输入端连接适配器直接通过外部输入单芯光纤连接用户的控制信号光源，从而实现一路输入、多路输出光信号的分光功能，满足多光敏区光控晶闸管的触发需要。本发明属于特大功率、高di/dt的功率半导体器件，集成了多路光触发装置，解决了光触发信号的引入、分光、触发和芯片定位等工艺技术，实现多光敏区光控晶闸管的封装技术。
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公开(公告)号：CN110867420A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911327217.2
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构，阳极管壳陶瓷壳体的侧面设有一对四分光器连接器，内部通过分光器将1路光信号分配至4个光敏区，分光器能够均匀分配光能量，尽量减少光损失，光纤的末端是四个激光头，通过定位可靠地对准芯片的光敏触发区中心位置。该装置在管壳外部通过输入端连接适配器直接通过外部输入单芯光纤连接用户的控制信号光源，从而实现一路输入、多路输出光信号的分光功能，满足多光敏区光控晶闸管的触发需要。本发明属于特大功率、高di/dt的功率半导体器件，集成了多路光触发装置，解决了光触发信号的引入、分光、触发和芯片定位等工艺技术，实现多光敏区光控晶闸管的封装技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108490331B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201810345051.6
申请日：2018-04-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一种GCT芯片门/阴极阻断特性圆周法测试台。采用圆周转动测试方法，设计中采用了高精度的三维移动平台、步进电机驱动的旋转平台和探针座，配以CCD视频显微镜进行设备调整和测试过程监控，设计的C型机架和架空平台以构成较好的人机操作结构，配以不同规格专门设计的载片定位夹具满足不同尺寸芯片测试需要。该测试台通过在GCT芯片生产中的应用，在可靠性、检测准确性和高效率等方面满足规模化生产的测试需要。本测试台就是为满足GCT芯片的门/阴极之间数千只二极管特性进行直流电压阻断测试，以高效、准确地筛选出个别失效器件，并做以标识，为后续工艺修补提供可能性。
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公开(公告)号：CN211629075U
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201922311033.9
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种多光敏区光控晶闸管芯片的陶瓷管壳全压接封装结构，阳极管壳陶瓷壳体的侧面设有一对四分光器连接器，内部通过分光器将1路光信号分配至4个光敏区，分光器能够均匀分配光能量，尽量减少光损失，光纤的末端是四个激光头，通过定位可靠地对准芯片的光敏触发区中心位置。该装置在管壳外部通过输入端连接适配器直接通过外部输入单芯光纤连接用户的控制信号光源，从而实现一路输入、多路输出光信号的分光功能，满足多光敏区光控晶闸管的触发需要。本实用新型属于特大功率、高di/dt的功率半导体器件，集成了多路光触发装置，解决了光触发信号的引入、分光、触发和芯片定位等工艺技术，实现多光敏区光控晶闸管的封装技术。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214881882U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202120810094.4
申请日：2021-04-20
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种半导体器件工艺的电解电极接触装置，包括阳极电极接触端和阴极电极接触端，所述阳极接触端包括工作台面、电极固定座、电极提升机构、电极安装支杆、电极接线柱、阳极石墨电极，所述阴极接触端包括石英器皿、阴极石墨电极、阴极接线柱、电极固定卡子，本实用新型适用于半导体器件工艺生产中的电解工艺中，可以解放操作人员的手，消除安全隐患，且此装置可以多个同时并联在一台直流电源上，同时电解多个硅片，提高工作效率，高效安全的完成工艺操作。
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公开(公告)号：CN211743116U
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202020293941.X
申请日：2020-03-11
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本实用新型涉及一种防碎真空吸笔头，包括吸笔头主体、真空吸孔、真空吸腔，吸笔头主体呈圆盘状，在吸笔头主体一侧设有真空吸腔，真空吸腔最外围设有一圈圆形外围凸起，在真空吸腔中心设有真空吸孔，真空吸孔与外围凸起间设有3～6个“C”型防碎凸起，所述防碎凸起低于外围凸起。本实用新型增加了防碎凸起结构，防碎凸起能有效限制芯片形变，对于厚度较小的芯片，减少因芯片受压过大引起形变超过极限导致碎裂的概率。而且在吸取芯片过程中，真空吸腔与芯片接触面积较大，保证有足够吸力来吸牢芯片；因此，本实用新型既能提高吸片速度，又能防止芯片碎裂，这样就提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN208207139U
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201820544782.9
申请日：2018-04-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型是一种GCT芯片门/阴极阻断特性圆周法测试台。采用圆周转动测试方法，设计中采用了高精度的三维移动平台、步进电机驱动的旋转平台和探针座，配以CCD视频显微镜进行设备调整和测试过程监控，设计的C型机架和架空平台以构成较好的人机操作结构，配以不同规格专门设计的载片定位夹具满足不同尺寸芯片测试需要。该测试台通过在GCT芯片生产中的应用，在可靠性、检测准确性和高效率等方面满足规模化生产的测试需要。本测试台就是为满足GCT芯片的门/阴极之间数千只二极管特性进行直流电压阻断测试，以高效、准确地筛选出个别失效器件，并做以标识，为后续工艺修补提供可能性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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