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发明公开
一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN113745348A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110955724.1

申请日：2021-08-19

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 张磊 , 范晓波 , 王旭梅 , 张博炎 , 王铭扬 , 王智远 , 刘世辉 , 刘航辉

IPC: H01L29/861 , H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管及其制备方法，一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管，从上往下依次设置有阳极AL层、阳极高浓度P+区和低浓度P区、低浓度漂移N‑区、高浓度阴极N+区和阴极AL层；所述的阳极区由有源P+区和终端P区构成，其中阳极AL层设置在腐蚀槽上方；所述的腐蚀槽设置在阳极有源区。本发明还公开了该种高压快速软恢复二极管的制备方法。本发明的结构，减小了正向导通压降，浪涌电流能力和反向恢复软度因子明显提高，在正向导通和反向恢复特性之间获得更好折中。

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