公开(公告)号：CN114400254A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202210146872.3

申请日：2022-02-17

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 张磊 ,  杨俊艳 ,  李畅 ,  赵田 ,  张歧宁 ,  王国卫 ,  胡茜 ,  党敏青

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: 本发明提供了一种旁路晶闸管及其制造方法，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本发明结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本发明结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。

公开(公告)号：CN217062108U

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202220321670.3

申请日：2022-02-17

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 张磊 ,  杨俊艳 ,  李畅 ,  赵田 ,  张歧宁 ,  王国卫 ,  胡茜 ,  党敏青

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: 本实用新型提供了一种旁路晶闸管，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本实用新型结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本实用新型结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。