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公开(公告)号：CN115692489A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211317007.7
申请日：2022-10-26
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构及其制造方法，从上往下依次设置有阴极和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区正下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本发明由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
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公开(公告)号：CN114759087A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210421370.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供了一种具强穿通的非对称快速晶闸管,从上往下依次设置有阴极AL层、阴极P区，N‑基区，阳极N缓冲层，阳极高浓度P+区和阳极AL层，在阴极AL层与阴极P区之间设有阴极高浓度N+区和P+区，本发明结构的N‑基区厚度比普通对称型快速晶闸管薄约20％～50％，片厚减薄的程度视应用要求的反向阻断电压值而定。因此，本发明大大降低器件的通态压降，提高di/dt能力，降低存储电荷，提高快速关断能力，在开通和关断特性之间实现良好折中。主要应用于大功率的中、高频感应加热电源领域。
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公开(公告)号：CN114361255A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210118203.5
申请日：2022-02-08
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种双向精准击穿防爆晶闸管及其制备方法，所述的双向晶闸管分为A管和B管，其反向并联对称，A管阳极对应B管阴极，A管阴极对应B管阳极，A管和B管通过高阻P‑区实现隔离。A管从上往下，对应的B管为从下往上，依次设置阴极侧铝层，包括中心门极铝层、放大门极铝层以及阴极铝层，中心门极P+区和阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极高浓度P+区和阳极铝层。本发明晶闸管，在阳极P‑区与P+区之间，靠近中心线内置了较高浓度的内置N+区，寄生了PNP晶体管，其N‑基区设计为电场穿通型，可以实现双向晶闸管的防爆和精准击穿功能。主要应用于柔性直流输电系统中，保护并联的IGBT器件。
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公开(公告)号：CN117810270A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311840261.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种波浪基区结构半导体器件，包括由上至下依次排列的门极p+区、p‑基区和n‑长基区，n‑长基区中心部分向上凸起，p‑基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n‑长基区中心处上凸起的部分相适配，使p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状；本发明的有益效果是：p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状，提高了器件关断时载流子抽取速度，增强了器件关断能力，有利于提升器件安全工作能力，且本工艺采用整面掺杂+局部去除的方式，利于提高径向掺杂参数均匀性，提高产品性能，同时降低技术门槛和生产成本，以较小的技术、经济代价实现设计目的。
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公开(公告)号：CN113745348A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110955724.1
申请日：2021-08-19
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管及其制备方法，一种铝选择性腐蚀的高压快速软恢复二极管，从上往下依次设置有阳极AL层、阳极高浓度P+区和低浓度P区、低浓度漂移N‑区、高浓度阴极N+区和阴极AL层；所述的阳极区由有源P+区和终端P区构成，其中阳极AL层设置在腐蚀槽上方；所述的腐蚀槽设置在阳极有源区。本发明还公开了该种高压快速软恢复二极管的制备方法。本发明的结构，减小了正向导通压降，浪涌电流能力和反向恢复软度因子明显提高，在正向导通和反向恢复特性之间获得更好折中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118604405A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410806849.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R1/04 , G01R31/26 , H01L29/744
Abstract: 本发明公开了一种大功率IGCT芯片阻断特性测试用夹具及测试方法，包括绝缘的夹具盘，夹具盘上设置有载片区，载片区由夹具盘的上表面向下凹陷，载片区的底面上设置有突出部和圆形口，圆形口内装配有金属结构件，芯片放置在载片区内后，金属结构件的顶部与芯片的阴极面接触；与现有技术相对比，本发明的有益效果是：将芯片放入测试夹具，通过测试芯片P1N1P2结构阻断电压，进而获取芯片I‑V特性，该测试方式所得特性结果和门阴极施加负偏压或短路处理测试回路相同。但减少门阴极间施加负偏压或短路处理过程，采用该测试方法及测试夹具，减少了测试对准时间及门阴极间施加负偏压或短路处理过程，且可有效减少芯片表面损伤，具有较强的实用价值。
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公开(公告)号：CN113206150A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110464892.0
申请日：2021-04-28
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/417 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及一种逆阻型集成门极换流晶闸管，包括阴极梳条、阴极电极、门极电极、阳极电极，该逆阻型集成门极换流晶闸管中心对称布满阴极梳条，门极接触区位于器件中心、中间或边缘位置，器件最外圈是终端区。轴向从上到下依次包括：阴极电极、阴极N+掺杂区、门极电极、P基区、N‑衬底区、阳极P+掺杂区和阳极电极，本发明在一个芯片上串联集成了门极换流晶闸管与二极管，使器件数量减少，功耗降低，总成本下降，同时提高系统可靠性，本发明正反向能够耐受高电压，正向通过大电流，门极控制器件开通、关断。
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公开(公告)号：CN113506823A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110881031.2
申请日：2021-08-02
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74
Abstract: 本发明涉及一种非对称快速晶闸管，由四层三端组成，四层分别为P1层、N1层、P2层、N2层，三端分别G端、K端、A端，结构上设有中心门极、放大门极、放大门极延伸枝条、阴极、台面、中心隔离槽、隔离槽，根据正反向阻断电压不同，设计了不同的P1层和P2层，由于P1层较薄，使晶闸管的通态压降降低，提高通流能力，使dv/dt和di/dt耐量提高，尤其指出的是，由于P1区较薄，电子可以直接穿透阳极结消失，使关断时间大大缩短，广泛应用于中频电力电子装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111537801A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010497916.8
申请日：2020-06-04
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种串联阻容吸收测试装置，由下述部分组成：电阻测试单元、电容测试单元分别连接控制显示单元，控制显示单元、电容测试单元和电阻测试单元分别连接切换输出单元，切换输出单元的R输出端连接被测串联阻容吸收电路的电阻一端，切换输出单元的C输出端连接被测串联阻容吸收电路的电容不与电阻连接在一起的另一端。本发明具有：1.在只接两点的情况下自动测试出串联的阻容吸收的电阻值及电容值。2.测试速度快，测试精度高。3.便于携带、构成部件少、重量轻的特点。4.具有液晶显示屏，屏上除了可以显示测试数据外，还可以将测试数据保存并通过U盘导出。
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公开(公告)号：CN218730959U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222845340.7
申请日：2022-10-26
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本实用新型提供了一种门极换流晶闸管GCT器件结构，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层，阴极N+区，门极P区，P‑区，N‑基区，N缓冲区，透明阳极P+区和阳极铝层。该结构门极沟槽深度大于阴极N+区深度，阴极N+区下方分别设有波状P区和波状P‑区，其深度都等于门极沟槽深度。本实用新型由于门极沟槽深度大于阴极N+区深度，可以避免寄生的NPN晶体管栓锁，提高GCT的可关断电流。通过分立的门—阴极高度差扩散形成波纹高度等于门极沟槽深度的波状P区和波状P‑区，可以减少离子注入和光刻步骤，并进一步提高可关断电流。阴极铝层和门极铝层同时形成，避免了二次刻铝，降低了制造成本和反刻铝的工艺难度。
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