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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078145B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201580056778.7
申请日：2015-11-17
IPC: H01L27/146
Abstract: 描述了用于使用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构诸如孔有效地增加了光子吸收。使用微结构对硅光电二极管和硅雪崩光电二极管进行吸收增强可以在波长为850nm的光子处在量子效率约为90％以上的情况下产生超过10Gb/s的带宽。微结构的厚度尺寸使其能够与CMOS、BiCMOS和其他电子器件方便地集成在同一Si芯片上，从而实现封装优点并且降低电容，进而实现较高速度。
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公开(公告)号：CN106463340A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580027848.6
申请日：2015-08-18
Applicant: 王士原
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1641 , H01L45/165
Abstract: 描述了具有提高的均匀性的电阻式RAM(RRAM)装置及相关制造方法。通过使用辐射损伤在开关层中均匀地创建增强的通道可以实现跨包括较大数目的RRAM单元的芯片上的性能的较高均匀性。根据各种描述的实施方式，辐射可以为离子、电磁光子、中性粒子、电子和超声波的形式。
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公开(公告)号：CN105556680B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201480035698.9
申请日：2014-05-22
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/035272 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12097 , G02B2006/12176 , H01L23/66 , H01L31/02005 , H01L31/02019 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/02363 , H01L31/024 , H01L31/028 , H01L31/0284 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/054 , H01L31/0745 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L31/1055 , H01L31/107 , H01L31/1075 , H01L31/1804 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L2223/6627 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 描述了利用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构例如柱和/或孔有效增加了有效吸收长度，引起更大的光子吸收。对于硅光电二极管和硅雪崩光电二极管使用增强吸收的微结构可以得到在波长为850nm的光子处超过10Gb/s的带宽，并且量子效率为大约90％或更高。
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公开(公告)号：CN105556680A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480035698.9
申请日：2014-05-22
IPC: H01L31/02 , H01L31/0352 , H01L31/07
CPC classification number: H01L31/035272 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12097 , G02B2006/12176 , H01L23/66 , H01L31/02005 , H01L31/02019 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/02363 , H01L31/024 , H01L31/028 , H01L31/0284 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035227 , H01L31/035281 , H01L31/054 , H01L31/0745 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L31/1055 , H01L31/107 , H01L31/1075 , H01L31/1804 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L2223/6627 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 描述了利用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构例如柱和/或孔有效增加了有效吸收长度，引起更大的光子吸收。对于硅光电二极管和硅雪崩光电二极管使用增强吸收的微结构可以得到在波长为850nm的光子处超过10Gb/s的带宽，并且量子效率为大约90％或更高。
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公开(公告)号：CN107078145A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056778.7
申请日：2015-11-17
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0236 , G02B1/002 , G02B1/005 , G02B6/42 , H01L27/1443 , H01L27/1446 , H01L27/14625 , H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L31/02325 , H01L31/02327 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/028 , H01L31/035218 , H01L31/035281 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/107 , H01L31/1075 , H01L31/1804 , H01L31/1808 , H04B10/25 , H04B10/40 , H04B10/691 , H04B10/6971 , H04B10/801 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 描述了用于使用微结构来增强半导体中的光子吸收的技术。微结构诸如孔有效地增加了光子吸收。使用微结构对硅光电二极管和硅雪崩光电二极管进行吸收增强可以在波长为850nm的光子处在量子效率约为90％以上的情况下产生超过10Gb/s的带宽。微结构的厚度尺寸使其能够与CMOS、BiCMOS和其他电子器件方便地集成在同一Si芯片上，从而实现封装优点并且降低电容，进而实现较高速度。
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