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公开(公告)号：CN115274614B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210514374.X
申请日：2022-05-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 陈纬铭
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开了一种覆晶薄膜及其封装方法，所述覆晶薄膜包括：第一卷带；第二卷带，与第一卷带部分层叠设置，且第一卷带与第二卷带层叠部分中形成有第一导电件，第一卷带凸出第二卷带的第一延伸部焊接有第一芯片，第二卷带凸出第一卷带的第二延伸部焊接有第二芯片，第一芯片与第二芯片通过第一导电件电连接。通过上述方式，本申请可以提高覆晶薄膜中芯片的数量。
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公开(公告)号：CN119419128A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411661562.0
申请日：2024-11-19
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 杨东晓
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本公开实施例提供一种金银合金凸块结构及制备方法、半导体器件，该制备方法包括：提供半导体器件，半导体器件的表面形成有种子层；通过电镀工艺在所述种子层上形成第一金银合金凸块，形成的第一金银合金凸块中金含量大于45%，且其厚度范围为0.2μm~5μm；采用同一电镀液在第一金银合金凸块上电镀形成第二金银合金凸块，形成的第二金银合金凸块中金含量小于30%，且其厚度范围为3μm~20μm。高金含量的第一金银合金凸块提升金银合金凸块结构底部与半导体器件的种子层的结合力，提高半导体器件的可靠性；低金含量的第二金银合金凸块可以避免金银合金凸块结构表面纯在金瘤，控制金银合金凸块结构的硬度和形貌，保证后续封装。
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公开(公告)号：CN118348027A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410534267.2
申请日：2024-04-30
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 陈森林
Abstract: 本公开实施例提供一种晶圆表面三维缺陷检测方法及系统，所述方法包括：分别向待检测晶圆表面提供第一入射光线和不同角度的多条第二入射光线；基于第一入射光线对应的第一反射光线以及多个第二入射光线对应的第二反射光线，获取待检测晶圆表面的平面检测图像；根据平面检测图像和预设平面图像，确定待检测晶圆表面的三维缺陷。该检测方法通过2D检测程式就可以检测出晶圆表面的三维立体缺陷，能够代替3D检测程式检测晶圆表面的三维立体缺陷，大大缩短作业时间，大大提升产能，扩展了2D检测程式的应用场景，降低检验机台的磨损，降低设备维护成本。
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公开(公告)号：CN116613081A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310709652.1
申请日：2023-06-15
Applicant: 厦门大学 , 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法，该方法包括以下步骤：(1)对用于半导体器件连接的凸块连接结构进行羟基化处理；(2)对凸块连接结构用有机化合物进行处理以形成自组装分子膜；(3)对凸块连接结构进行脱水处理；(4)采用反应离子刻蚀技术对自组装分子膜进行蚀刻。最终，在凸块连接结构表面，特别是底切结构处形成取向规整、排列紧密有序的自组装分子膜。本发明制备方法简单，形成的自组装分子膜具有高的稳定性和抗腐蚀性，能够有效地改善凸块在湿热环境下的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN115274614A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210514374.X
申请日：2022-05-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 陈纬铭
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开了一种覆晶薄膜及其封装方法，所述覆晶薄膜包括：第一卷带；第二卷带，与第一卷带部分层叠设置，且第一卷带与第二卷带层叠部分中形成有第一导电件，第一卷带凸出第二卷带的第一延伸部焊接有第一芯片，第二卷带凸出第一卷带的第二延伸部焊接有第二芯片，第一芯片与第二芯片通过第一导电件电连接。通过上述方式，本申请可以提高覆晶薄膜中芯片的数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564107B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010531383.0
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G09F9/00
Abstract: 本申请公开了一种显示装置的制备方法，属于显示技术领域。本申请公开的显示装置的制备方法先在位于非显示区的衬底的一侧表面形成至少一个凹槽，凹槽内设置有至少一个第一金属凸块，第一金属凸块与衬底中从凹槽内露出的电路电连接；再利用导电胶将第一金属凸块与芯片功能面上的第二金属凸块电连接。上述衬底上的凹槽可以对芯片的位置进行限定，降低芯片在随可弯折的衬底进行弯折的过程中发生偏移的几率，以及降低芯片发生掉落的几率，从而提高芯片与衬底电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111785704B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202010691588.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 陈纬铭
IPC: H01L23/544 , H01L23/488
Abstract: 本公开提供一种覆晶薄膜和显示装置，覆晶薄膜包括基板和芯片，所述基板朝向所述芯片的一侧设置有多个内引脚，所述芯片朝向所述基板的一侧设置有多个金凸块；其中，所述覆晶薄膜还包括对位结构，其能够在所述金凸块与对应的所述内引脚绑定结合过程中确定两者是否发生偏移。本公开实施例的一种覆晶薄膜和显示装置中，设置了对位结构，可用于在基板与芯片结合后检测基板上内引脚与芯片上金凸块之间的对位情况，该对位结构由于设置在覆晶薄膜的基板与芯片上，而不是外部检测装置，因此不受检测空间的限制，可对任意覆晶薄膜的对位情况进行有效准确的检测，同时，由于不是使用AOI检查机等外部检测设备，可在提高检测效率的同时降低成本。
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公开(公告)号：CN111554644B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010536691.2
申请日：2020-06-12
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 张文斌
IPC: H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/31
Abstract: 本申请公开了一种芯片、芯片封装体及晶圆，芯片包括集成电路和散热结构，集成电路位于芯片的主动面上；散热结构位于芯片的与主动面相对的背面上，散热结构包括设置在芯片背面上的至少一个散热槽，散热槽用于容置导热材料以对芯片进行散热。通过上述方式，本申请能够提高芯片的散热效率。
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公开(公告)号：CN110444479B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910663242.1
申请日：2019-07-22
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/67 , H01L23/488 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/12
Abstract: 本申请公开了一种金属凸点的制造方法和芯片，该方法包括：对芯片的焊盘至少进行第一电镀处理和第二电镀处理，分别形成层叠第一电镀层和第二电镀层，且第一电镀处理和第二电镀处理的至少部分参数不同；对芯片进行退火处理。通过上述方式，本申请能够节约资源，降低风险，降低生产复杂度。
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公开(公告)号：CN113380642A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110474511.7
申请日：2021-04-29
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 陈纬铭
Abstract: 本申请公开了一种覆晶薄膜封装器件的加工方法，包括：在基板的至少部分侧面设置限位件，其中，限位件用于抑制基板变形，在基板的第一表面形成多个封装单元，每个封装单元内设置有至少一个芯片，对基板进行切割以分裂相邻封装单元，进而获得单颗覆晶薄膜封装器件。通过这种设计方案，可以在覆晶薄膜(COF)制程中防止基板因受热而在长度方向上延伸进而发生褶皱，从而可以抑制基板过度变形，提高了器件检查的效率和生产效率，节省了成本。
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