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公开(公告)号:CN116613081A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310709652.1
申请日:2023-06-15
Applicant: 厦门大学 , 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种改善凸块连接结构的耐湿热可靠性的方法,该方法包括以下步骤:(1)对用于半导体器件连接的凸块连接结构进行羟基化处理;(2)对凸块连接结构用有机化合物进行处理以形成自组装分子膜;(3)对凸块连接结构进行脱水处理;(4)采用反应离子刻蚀技术对自组装分子膜进行蚀刻。最终,在凸块连接结构表面,特别是底切结构处形成取向规整、排列紧密有序的自组装分子膜。本发明制备方法简单,形成的自组装分子膜具有高的稳定性和抗腐蚀性,能够有效地改善凸块在湿热环境下的可靠性和稳定性。