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公开(公告)号：CN111524466B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010531382.6
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 本申请公开了一种显示装置的制备方法，属于显示技术领域。本申请公开的显示装置的制备方法先在位于非显示区的衬底的一侧表面形成至少一个凹槽，凹槽内设置有至少一个第一金属凸块，第一金属凸块与衬底中从凹槽内露出的电路电连接；再利用焊料将第一金属凸块与芯片功能面上的第二金属凸块电连接。上述衬底上的凹槽可以对芯片的位置进行限定，降低芯片在随可弯折的衬底进行弯折的过程中发生偏移的几率，以及降低芯片发生掉落的几率，从而提高芯片与衬底电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111640722A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010532021.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装方法和芯片封装器件，本申请公开的芯片封装方法先在芯片功能面上的每个焊盘位置处分别形成金属凸块，然后在金属凸块的外围形成绝缘层，再利用带有焊料粒子的导电胶将金属凸块远离焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接，且绝缘层远离功能面的表面与衬底接触。其中，绝缘层远离芯片功能面的表面高于金属凸块远离功能面的表面，导电胶位于绝缘层围设的区域内。当利用带有焊料粒子的导电胶将金属凸块与导电部电连接之后，绝缘层覆盖金属凸块以及导电部的侧壁，能够避免金属凸块的侧壁与其他金属凸块或者显示装置之外的其他器件横向导通的问题，降低显示装置出现短路的几率，提高显示装置内部电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111640676A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010531380.7
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本申请公开了一种形成金属凸块的方法以及半导体器件。本申请公开的形成金属凸块的方法先在在晶圆正面形成绝缘层，绝缘层对应焊盘设置有贯通的第一开口，第一开口靠近焊盘位置处的尺寸小于其远离焊盘位置处的尺寸，且第一开口靠近焊盘位置处的尺寸小于焊盘的尺寸；然后在第一开口内形成金属凸块；再去除未被金属凸块在晶圆上的正投影覆盖的绝缘层。在第一开口内形成的金属凸块靠近焊盘位置处的尺寸小于焊盘的尺寸，也小于其远离焊盘位置处的尺寸，使得金属凸块的体积小于现有技术中两端尺寸基本一致的金属凸块的体积，从而能够在不减小金属凸块电连接接触面积的前提下减少金属的使用量，在不影响半导体器件可靠性的前提下节约成本。
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公开(公告)号：CN111524464B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010531366.7
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 本申请公开了一种显示装置，包括显示区和位于显示区外围的非显示区，其中，显示装置具体包括：衬底，衬底位于非显示区的一侧表面设置有至少一个凹槽；至少一个第一金属凸块，设置于凹槽内，第一金属凸块与衬底中从凹槽内露出的电路电连接；芯片，设置于衬底设置有第一金属凸块的一侧表面，且芯片的功能面上的第二金属凸块与第一金属凸块电连接。在形成本申请提供的显示装置时，上述衬底上的凹槽可以对芯片的位置进行限定，降低芯片在随可弯折的衬底进行弯折的过程中发生偏移的几率，以及降低芯片发生掉落的几率，从而提高芯片与衬底电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111554582B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010532022.8
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/29 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装方法和芯片封装器件，属于封装技术领域。本申请公开的芯片封装方法先在芯片功能面上的焊盘位置处形成金属凸块，然后在金属凸块的外围形成绝缘层，且绝缘层远离功能面的表面低于金属凸块的远离功能面的表面，再利用导电胶将金属凸块远离焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接。电连接之后，导电胶中的至少部分树脂材料和绝缘层包裹金属凸块的侧壁，从而降低金属凸块的侧壁与其他金属凸块或者芯片封装器件之外的其他器件横向导通的几率，降低芯片封装器件内部发生短路的几率，提高芯片封装器件内部电连接的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111640722B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010532021.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装方法和芯片封装器件，本申请公开的芯片封装方法先在芯片功能面上的每个焊盘位置处分别形成金属凸块，然后在金属凸块的外围形成绝缘层，再利用带有焊料粒子的导电胶将金属凸块远离焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接，且绝缘层远离功能面的表面与衬底接触。其中，绝缘层远离芯片功能面的表面高于金属凸块远离功能面的表面，导电胶位于绝缘层围设的区域内。当利用带有焊料粒子的导电胶将金属凸块与导电部电连接之后，绝缘层覆盖金属凸块以及导电部的侧壁，能够避免金属凸块的侧壁与其他金属凸块或者显示装置之外的其他器件横向导通的问题，降低显示装置出现短路的几率，提高显示装置内部电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111524465B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010531379.4
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 本申请公开了一种显示装置的制备方法，属于显示技术领域。本申请公开的显示装置的制备方法先在位于非显示区的衬底的一侧表面形成至少一个凹槽，凹槽内设置有至少一个第一金属凸块，第一金属凸块与衬底中从凹槽内露出的电路电连接；再利用热压键合的方式将第一金属凸块与芯片功能面上的第二金属凸块直接电连接。上述衬底上的凹槽可以对芯片的位置进行限定，降低芯片在随可弯折的衬底进行弯折的过程中发生偏移的几率，以及降低芯片发生掉落的几率，从而提高芯片与衬底电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111554582A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010532022.8
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/29 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种芯片封装方法和芯片封装器件，属于封装技术领域。本申请公开的芯片封装方法先在芯片功能面上的焊盘位置处形成金属凸块，然后在金属凸块的外围形成绝缘层，且绝缘层远离功能面的表面低于金属凸块的远离功能面的表面，再利用导电胶将金属凸块远离焊盘的一侧表面与衬底表面的导电部电连接。电连接之后，导电胶中的至少部分树脂材料和绝缘层包裹金属凸块的侧壁，从而降低金属凸块的侧壁与其他金属凸块或者芯片封装器件之外的其他器件横向导通的几率，降低芯片封装器件内部发生短路的几率，提高芯片封装器件内部电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111524466A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010531382.6
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 本申请公开了一种显示装置的制备方法，属于显示技术领域。本申请公开的显示装置的制备方法先在位于非显示区的衬底的一侧表面形成至少一个凹槽，凹槽内设置有至少一个第一金属凸块，第一金属凸块与衬底中从凹槽内露出的电路电连接；再利用焊料将第一金属凸块与芯片功能面上的第二金属凸块电连接。上述衬底上的凹槽可以对芯片的位置进行限定，降低芯片在随可弯折的衬底进行弯折的过程中发生偏移的几率，以及降低芯片发生掉落的几率，从而提高芯片与衬底电连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN111524464A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010531366.7
申请日：2020-06-11
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: G09F9/30
Abstract: 本申请公开了一种显示装置，包括显示区和位于显示区外围的非显示区，其中，显示装置具体包括：衬底，衬底位于非显示区的一侧表面设置有至少一个凹槽；至少一个第一金属凸块，设置于凹槽内，第一金属凸块与衬底中从凹槽内露出的电路电连接；芯片，设置于衬底设置有第一金属凸块的一侧表面，且芯片的功能面上的第二金属凸块与第一金属凸块电连接。在形成本申请提供的显示装置时，上述衬底上的凹槽可以对芯片的位置进行限定，降低芯片在随可弯折的衬底进行弯折的过程中发生偏移的几率，以及降低芯片发生掉落的几率，从而提高芯片与衬底电连接的可靠性。
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