公开(公告)号：CN112713140A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201911021314.9

申请日：2019-10-25

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 黄晗 ,  林正忠 ,  吴政达 ,  陈彦亨

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明提供一种天线封装结构及封装方法，封装方法包括：提供支撑基底，形成重新布线层、第一天线层、金属馈线柱、封装层以及第二天线层，提供半导体芯片并将其接合在第二天线层表面，至少在半导体芯片顶部及四周形成围坝点胶保护层。本发明对晶圆级封装增加围坝点胶工艺，提高芯片的稳定性，进一步通过底部填充工艺形成底部填充层，对芯片进行双重保护，可以有效减少封装工艺流程，将所有主动组件或被动组件集成在一个封装结构中，可有效缩小封装尺寸，半导体芯片、重新布线层及天线金属等结构设置为垂直排列结构，可有效缩短组件之间传导路径，具有较低的功耗，制程结构整合性高，采用多层天线设置可增强接收信号能力，扩大接收信号频宽。

公开(公告)号：CN112582325A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910944784.6

申请日：2019-09-30

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 黄晗 ,  林正忠 ,  吴政达 ,  陈彦亨 ,  赵梦波

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种晶圆辅助导向设备，用于半导体制造机台，所述设备包括：辅助环体，所述辅助环体具有供晶圆进出的开口；固定架，固定连接于所述辅助环体上；至少两个辅助定位销，固定连接于所述固定架，所述辅助定位销通过与所述晶圆的边缘接触以将所述晶圆定位于标准位置。本发明采用机台外的晶圆辅助导向设备作为晶圆定位以及抽真空的辅助工具，替代了半导体制造机台上原始固定的定位销，在对位结束后，将所述晶圆辅助导向设备整体移除，可以避免晶圆因与定位销接触加热时，由于热膨胀而造成定位销压迫晶圆，导致晶圆损坏或破裂的缺陷。

公开(公告)号：CN112289742A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011310588.2

申请日：2020-11-20

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 陈彦亨 ,  林正忠

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/535 ,  H01L25/04 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明提供一种晶圆系统级三维扇出型封装结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成重新布线层，其包括相对设置的第一面与第二面；形成导电连接柱于重新布线层的第二面；将贴片元件接合于重新布线层的第二面；形成塑封层于重新布线层的第二面；减薄塑封层；形成多个焊料凸点于塑封层背离重新布线层的一侧；切割重新布线层及塑封层，得到多个第一封装体；将第二封装体接合于第一封装体的重新布线层的第一面。本发明采用晶圆级封装在重新布线层的一面将贴片元件塑封，并切割得到多个第一封装体，再将第二封装体接合于重新布线层的另一面，得到双面塑封系统级封装结构，能够增加扇出型封装结构的功能整合性，提升单一芯片功能及效率，并优化体积。

公开(公告)号：CN112259466A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201910678917.X

申请日：2019-07-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种重新布线层的制备方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一基板，所述基板上表面具有一粘结层；2)于所述粘结层上表面，依次沉积扩散阻挡层和种子层；3)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述种子层的上表面形成图形化的光刻胶层；4)于未被所述光刻胶层覆盖的种子层上表面形成金属线层；5)去除所述光刻胶层6)湿法刻蚀，去除未被所述金属线层覆盖的所述种子层；7)干法刻蚀，去除未被所述种子层覆盖的扩散阻挡层。采用干法刻蚀去除扩散阻挡层，消除了湿法刻蚀的侧蚀现象，并避免了细间距重新布线层的剥离，提高了细间距重新布线层的制备良率。

公开(公告)号：CN112185922A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910600314.8

申请日：2019-07-04

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 蔡汉龙 ,  陈明志 ,  林正忠

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种WB金属线及直线形金属焊线的形成方法，WB金属线包含金属线切口，金属线切口自WB金属线的表面向WB金属线的径向延伸，以通过金属线切口减小WB金属线的径向尺寸，从而在进行焊线工艺时，可仅形成一个焊点，而后通过拉伸，使WB金属线自金属线切口处断开，形成直线形金属焊线，提高制程的UPH，且可提高产品质量。

公开(公告)号：CN112185908A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910600122.7

申请日：2019-07-04

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 蔡汉龙 ,  林正忠

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。半导体封装结构包括：第一封装体，第一封装体包括第一封装基板、第一芯片、第一塑封层、第一导热胶层、第一导热引线及第一散热层；第二封装体，位于第一封装体的上方，第二封装体包括第二封装基板、第二芯片、第二塑封层、第二导热胶层、第二导热引线及第二散热层；第三封装体，位于第二封装体的上方；第三封装体包括第三封装基板、第三芯片及第三塑封层。本发明的半导体封装结构在位于叠层封装结构中间的芯片外围设置散热层以改善叠层封装结构的散热，同时通过导热引线将芯片散发的热量传导到散热层，有助于芯片的快速散热，可防止因散热不佳导致的器件翘曲，有助于提高器件性能。

公开(公告)号：CN112117243A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201910543331.2

申请日：2019-06-21

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 蔡汉龙 ,  林正忠

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。所述半导体封装结构包括：封装基板；芯片，键合于所述封装基板的上表面；塑封材料层，位于所述封装基板和所述芯片的上表面，且将所述芯片塑封；导热胶层，位于所述塑封材料层的上表面；导热引线，贯穿所述塑封材料层，且两端分别与所述芯片和所述导热胶层相连接；散热层，位于所述导热胶层的上表面。本发明的半导体封装结构将散热层全部移至整个半导体封装结构的表面，有助于增大散热层的散热面积，同时通过导热引线将芯片散发的热量传导到散热层，有助于芯片的快速散热，从而有助于提高半导体封装结构的性能。

公开(公告)号：CN112038300A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201910482909.8

申请日：2019-06-04

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 吕娇 ,  陈彦亨 ,  林正忠

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，半导体封装结构包括：基底；牺牲层，位于基底的上表面；重新布线层，位于牺牲层的上表面；芯片，倒装合于重新布线层的上表面；第一电连接结构，位于重新布线层的上表面；第一塑封层，位于重新布线层的上表面，且将芯片及所述第一电连接结构塑封；第二电连接结构，位于第一塑封层上；第二塑封层，位于第一塑封层上，且将第二电连接结构塑封；顶层金属线层，位于第二塑封层上；翘曲调整层，位于基底的下表面。本发明的半导体封装结构的翘曲调整层可以补偿和抵消塑封材料层形成后导致的翘曲，从而减小甚至消除半导体封装结构的翘曲。

公开(公告)号：CN111987062A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910426712.2

申请日：2019-05-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 陈彦亨 ,  林正忠

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。该结构包括重新布线层，重新布线层包括介质层及金属连接层；第一玻璃基板，位于重新布线层的第二表面；金属连接柱，贯穿第一玻璃基板，且与金属连接层电性连接；第一天线层，与金属连接柱电性连接；第二玻璃基板，覆盖第一天线层；第二天线层，位于第二玻璃基板表面；金属凸块，与金属连接层电性连接；以及芯片，与金属连接层电性连接。本发明的半导体封装结构采用重新布线层及多层玻璃基板实现两层或更多层天线金属层的整合，有助于缩小封装结构的体积，提高器件集成度，同时有助于降低成本，有利于提高封装结构的性能。采用本发明的制备方法有助于简化制备工艺，降低生产成本。

公开(公告)号：CN111933586A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201910394045.4

申请日：2019-05-13

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 徐罕 ,  陈彦亨 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及制备方法，晶圆级芯片封装结构包括：基底；重新布线层，形成于所述基底上，所述重新布线层具有划片槽区域；封装层，形成于所述重新布线层上；凹槽，形成于所述封装层中，所述凹槽位于所述划片槽区域上。本发明的晶圆级芯片封装结构及制备方法能释放封装结构内部的应力，降低晶圆的翘曲度，增加工艺稳定性，提升良率，增加产出。