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公开(公告)号：CN112185902A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910600046.X
申请日：2019-07-04
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，通过包含金属线切口的WB金属线，以减小WB金属线的径向尺寸，从而在进行焊线工艺时，可仅形成一个焊点，而后通过拉伸，使WB金属线自金属线切口处断开，并通过放电形成金属球，制备以焊点作为底部，金属球作为顶部及包含直线形金属焊线的第一金属焊线，并在后续经过封装及去除部分封装层后，显露金属球，并可直接通过金属球作为连接第一金属焊线及第二金属焊线的金属层，从而可减少形成金属层的步骤、时间及费用，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN112185895A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910599721.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/18 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供一种三维堆叠结构及其制备方法，三维堆叠结构包括电连接的多个半导体封装结构，半导体封装结构包括电路板、芯片、金属焊线、封装层主体、第一金属凸块及第二金属凸块；第一金属凸块位于封装层主体的顶面上且与第一金属焊线电连接，第二金属凸块位于封装层主体的侧面上且与第二金属焊线电连接；半导体封装结构的电性引出端包括第一金属凸块、第二金属凸块及电路板第二面，且多个半导体封装结构通过电性引出端的电连接构成三维堆叠结构。本发明制备工艺简单，可以随需求往纵向、横向及侧向电连接半导体封装结构，可提高三维封装的灵活性，扩大三维封装的应用，提高半导体封装结构的密集度。
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公开(公告)号：CN112185922A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910600314.8
申请日：2019-07-04
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本发明提供一种WB金属线及直线形金属焊线的形成方法，WB金属线包含金属线切口，金属线切口自WB金属线的表面向WB金属线的径向延伸，以通过金属线切口减小WB金属线的径向尺寸，从而在进行焊线工艺时，可仅形成一个焊点，而后通过拉伸，使WB金属线自金属线切口处断开，形成直线形金属焊线，提高制程的UPH，且可提高产品质量。
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公开(公告)号：CN112185908A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910600122.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。半导体封装结构包括：第一封装体，第一封装体包括第一封装基板、第一芯片、第一塑封层、第一导热胶层、第一导热引线及第一散热层；第二封装体，位于第一封装体的上方，第二封装体包括第二封装基板、第二芯片、第二塑封层、第二导热胶层、第二导热引线及第二散热层；第三封装体，位于第二封装体的上方；第三封装体包括第三封装基板、第三芯片及第三塑封层。本发明的半导体封装结构在位于叠层封装结构中间的芯片外围设置散热层以改善叠层封装结构的散热，同时通过导热引线将芯片散发的热量传导到散热层，有助于芯片的快速散热，可防止因散热不佳导致的器件翘曲，有助于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN112117243A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910543331.2
申请日：2019-06-21
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。所述半导体封装结构包括：封装基板；芯片，键合于所述封装基板的上表面；塑封材料层，位于所述封装基板和所述芯片的上表面，且将所述芯片塑封；导热胶层，位于所述塑封材料层的上表面；导热引线，贯穿所述塑封材料层，且两端分别与所述芯片和所述导热胶层相连接；散热层，位于所述导热胶层的上表面。本发明的半导体封装结构将散热层全部移至整个半导体封装结构的表面，有助于增大散热层的散热面积，同时通过导热引线将芯片散发的热量传导到散热层，有助于芯片的快速散热，从而有助于提高半导体封装结构的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112242316A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910640293.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种焊线设备及焊线方法。焊线设备包括劈刀、焊线夹、第一驱动装置及焊线垫；劈刀为中空结构且具有进线口和出线口，焊线通过进线口进入劈刀内并经出线口延伸至与待封装器件相连接；焊线夹与进线口相邻，用于夹持焊线与进线口相邻的一端；第一驱动装置与劈刀相连接，用于驱动劈刀移动；焊线垫位于劈刀一侧，用于在劈刀移动至预设位置时承载焊线。本发明的焊线设备通过优化的结构设计，可以将焊线过程中的第二焊点设置在芯片以外的区域，从而可以有效避免芯片表面污染和焊点之间相互接触，以及减小焊线的弯曲度，有利于焊线的后续拉直。本发明的焊线方法有利于形成垂直焊线。
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公开(公告)号：CN112185824A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910599541.3
申请日：2019-07-04
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有直线形金属焊线的半导体封装结构及其制备方法，半导体封装结构包括芯片、直线形金属焊线及封装层。芯片表面包括焊盘；直线形金属焊线与焊盘相接触形成焊点，直线形金属焊线包括直立线形金属焊线及倾斜线形金属焊线中的一种或组合；封装层覆盖芯片表面及直线形金属焊线，且封装层显露直线形金属焊线。本发明将直线形金属焊线形成于封装层的第一封装区，曲线形金属焊线形成于封装层的第二封装区，并通过减薄封装层及晶圆切割，在不增加工艺步骤的情况下，形成具有直线形金属焊线的半导体封装结构，对焊线机型无特殊限制，可扩大焊线机型的选择，降低工艺控制难度，降低制造成本，降低对芯片的损伤，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN213366617U
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202022058917.0
申请日：2020-09-18
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L23/498 , H01L23/528
Abstract: 本实用新型提供一种扇出型LED封装结构，所述扇出型LED封装结构至少包括：LED晶片，封装层，第一重布线层，IC控制芯片模块，第二重布线层。LED晶片和IC控制芯片模块通过第一和第二重布线层的金属布线以及封装层的镀金属穿孔实现LED芯片与IC控制芯片的电性引出和控制。本实用新型还提供一种扇出型LED封装结构的封装方法，使用扇出型封装方式，采用镀金属取代焊线，并采用PI介质层与RDL层布线的方式取代基板，有效的缩小了LED的封装尺寸。
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公开(公告)号：CN210006699U
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201921111229.7
申请日：2019-07-16
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种焊线设备。焊线设备包括劈刀、焊线夹、第一驱动装置及焊线垫；劈刀为中空结构且具有进线口和出线口，焊线通过进线口进入劈刀内并经出线口延伸至与待封装器件相连接；焊线夹与进线口相邻，用于夹持焊线与进线口相邻的一端；第一驱动装置与劈刀相连接，用于驱动劈刀移动；焊线垫位于劈刀一侧，用于在劈刀移动至预设位置时承载焊线。本实用新型的焊线设备通过优化的结构设计，可以将焊线过程中的第二焊点设置在芯片以外的区域，从而可以有效避免芯片表面污染和焊点之间相互接触，以及减小焊线的弯曲度，有利于焊线的后续拉直。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211238232U
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202020267049.4
申请日：2020-03-06
Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种用于晶圆级封装的金属焊线互连结构，该结构包括：支撑基板；弧状直立线的第一金属焊线，第一金属焊线具有相对的第一端及第二端，该第一端通过打线凸块与支撑基板相连接，该第二端连接一焊球；位于支撑基板上的塑封材料层，塑封材料层塑封第一金属焊线，且塑封材料层的表面显露所述焊球；第二金属焊线，第二金属焊线与焊球电连接。本实用新型通过直接形成弧状直立线的金属焊线，工艺简单，不需要额外浪费材料，有效降低了制造成本；另外，直接通过金属焊线上的焊球直接实现相邻两层金属焊线的连接，从而可减少形成金属层的步骤、时间及费用，提高产品质量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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