公开(公告)号：CN112259466A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201910678917.X

申请日：2019-07-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种重新布线层的制备方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一基板，所述基板上表面具有一粘结层；2)于所述粘结层上表面，依次沉积扩散阻挡层和种子层；3)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述种子层的上表面形成图形化的光刻胶层；4)于未被所述光刻胶层覆盖的种子层上表面形成金属线层；5)去除所述光刻胶层6)湿法刻蚀，去除未被所述金属线层覆盖的所述种子层；7)干法刻蚀，去除未被所述种子层覆盖的扩散阻挡层。采用干法刻蚀去除扩散阻挡层，消除了湿法刻蚀的侧蚀现象，并避免了细间距重新布线层的剥离，提高了细间距重新布线层的制备良率。

公开(公告)号：CN110896036A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910662160.5

申请日：2019-07-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种封装结构及封装方法，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成封装层；采用化学镀于所述封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成焊盘，所述焊盘之间裸露所述化学镀种子层；去掉裸露部分的所述化学镀种子层；采用打线工艺于所述焊盘的上方连接金属线。本发明的封装结构及封装方法能够提高焊盘的牢固性，提高焊盘与封装层之间的结合力，从而防止焊盘在后续工序中的脱落现象。

公开(公告)号：CN110349869A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910663067.6

申请日：2019-07-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种封装结构及封装方法，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成第一封装层；采用化学镀于所述第一封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的金属层，所述金属层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层；去掉所述第一窗口内裸露的所述化学镀种子层，以显露所述第一封装层；于所述第一封装层及所述图形化的金属层上方形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述金属层。本发明的封装结构及封装方法能够提高封装层的牢固性，提高金属层与第一封装层之间的结合力，从而防止第二封装层在后续工序中的脱落现象。

公开(公告)号：CN110190026A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910492117.9

申请日：2019-06-06

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  仇月东 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体制备方法，包括步骤：提供半导体结构；于半导体结构的上表面形成封装层；自封装层的上表面减薄封装层；于封装层的上表面形成金属种子层；对金属种子层的上表面进行预处理，其中，预处理包括采用去胶液对金属种子层的上表面进行处理的步骤；于金属种子层的上表面形成光阻层。本发明的半导体制备方法，通过采用去胶液对金属种子层的上表面进行预处理，可提高光阻层与金属种子层的接触性能，可在金属种子层的上表面形成具有均匀厚度的光阻层，提高良率，提高产品性能。

公开(公告)号：CN106898557B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201710124498.6

申请日：2017-03-03

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林章申 ,  林正忠 ,  何志宏 ,  周祖源

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L25/071 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105

Abstract: 本发明提供一种集成有供电传输系统的封装件的封装方法，包括如下步骤：1）提供一载体；2）采用引线键合工艺在载体表面形成金属引线；3）将有源模块及无源模块设置于载体形成有金属引线的表面上，并在有源模块及所述无源模块表面形成金属连接柱；4）将金属引线、有源模块、无源模块及金属连接柱封装成型；5）在塑封材料表面形成再布线层；6）将用电芯片设置于再布线层表面，用电芯片经由多个微凸块实现与低电压供电轨道的对接；7）剥离载体，形成与金属引线相连接的焊料凸块。本发明通过使用三维芯片堆叠技术，提高了电力输送效率，增加了不同电压轨道的可用数量。

公开(公告)号：CN106847710A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710124760.7

申请日：2017-03-03

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 林章申 ,  林正忠 ,  何志宏 ,  周祖源

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L24/81 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/81005

Abstract: 本发明提供一种集成有供电传输系统的封装件的封装方法，包括如下步骤：1）提供一载体；2）采用电镀工艺在载体表面形成第一金属连接柱；3）将有源模块及无源模块设置于载体形成有第一金属连接柱的表面上，并在有源模块及所述无源模块表面形成第二金属连接柱；4）将第一金属连接柱、有源模块、无源模块及第二金属连接柱封装成型；5）在塑封材料表面形成再布线层；6）将用电芯片设置于再布线层表面，用电芯片经由多个微凸块实现与低电压供电轨道的对接；7）剥离载体，形成与第一金属连接柱相连接的焊料凸块。本发明通过使用三维芯片堆叠技术，提高了电力输送效率，增加了不同电压轨道的可用数量。

公开(公告)号：CN112289688A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201910662137.6

申请日：2019-07-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种重新布线层的制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：1)提供一衬底；2)于所述衬底上表面形成扩散阻挡层；3)采用化学镀法于所述扩散阻挡层上表面形成金属种子层；4)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述金属种子层上表面形成图形化的光刻胶层；5)于所述光刻胶层未覆盖的所述金属种子层的上表面形成金属线层；6)去除所述光刻胶层；7)去除所述金属线层未覆盖的所述金属种子层和所述扩散阻挡层。采用化学镀法代替传统的溅射法，可以获得侧边与平面的厚度一致的金属种子层，有利于提高后续电镀金属线层的厚度均匀性及结合力。

公开(公告)号：CN112185828A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910585332.3

申请日：2019-07-01

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 赵海霖 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/36 ,  H01Q9/30

Abstract: 本发明提供一种单极化封装天线及其制备方法，单极化封装天线包括：重新布线层及单极化天线结构；单极化天线结构包括位于封装层中，并以天线金属层作为顶部，以金属布线层作为底部的空气腔，从而可减少封装天线在移动信道中的损耗，使得信号传输速度更快，以凭借其高速度、低延迟的特点，在5G市场中占据有利地位。

公开(公告)号：CN111490004A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910078493.3

申请日：2019-01-28

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 周祖源 ,  赵强 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供一种重新布线层的制备方法及半导体结构，半导体结构包括基底及位于基底上表面的重新布线层；重新布线层包括介质层，介质层中包括贯穿介质层的第一通孔及位于第一通孔的上方的第二通孔，其中，部分第二通孔与第一通孔相贯通，且相贯通的第二通孔宽度大于第一通孔的宽度；金属种子层，金属种子层覆盖第一通孔及第二通孔的底部及侧壁；金属层，金属层填满第一通孔及第二通孔。本发明通过两次图形化介质层，获得具有水平面的重新布线层，制备工艺简单、成本低，可提高重新布线层的平坦度，避免在形成的重新布线层中产生凹槽，有利于后续制程工艺，并降低多层叠加的工艺风险，进一步降低工艺难度及成本。

公开(公告)号：CN110767625A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201810827840.3

申请日：2018-07-25

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 朱红波 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明提供一种RDL金属线的制造方法及结构，包括以下步骤：S1：提供一晶圆，晶圆的上表面包括焊盘；S2：在晶圆的上表面形成干膜；S3：图形化干膜，在干膜中形成沟槽，沟槽裸露焊盘；S4：沉积金属层，金属层包括位于干膜上的第一子金属层，以及位于沟槽底部的第二子金属层，第一子金属层与第二子金属层之间的沟槽具有裸露侧壁部，第一子金属层与第二子金属层由裸露侧壁部隔离；S5：去除干膜及位于干膜上的第一子金属层，保留位于沟槽底部的第二子金属层，以形成RDL金属线。本发明可减少制造RDL金属线的工艺步骤、降低工艺复杂度、降低生产成本及减小RDL金属线的线宽及线间距，以提高RDL的供电轨道。