公开(公告)号：CN112713140A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201911021314.9

申请日：2019-10-25

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 黄晗 ,  林正忠 ,  吴政达 ,  陈彦亨

IPC: H01L23/66 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明提供一种天线封装结构及封装方法，封装方法包括：提供支撑基底，形成重新布线层、第一天线层、金属馈线柱、封装层以及第二天线层，提供半导体芯片并将其接合在第二天线层表面，至少在半导体芯片顶部及四周形成围坝点胶保护层。本发明对晶圆级封装增加围坝点胶工艺，提高芯片的稳定性，进一步通过底部填充工艺形成底部填充层，对芯片进行双重保护，可以有效减少封装工艺流程，将所有主动组件或被动组件集成在一个封装结构中，可有效缩小封装尺寸，半导体芯片、重新布线层及天线金属等结构设置为垂直排列结构，可有效缩短组件之间传导路径，具有较低的功耗，制程结构整合性高，采用多层天线设置可增强接收信号能力，扩大接收信号频宽。

公开(公告)号：CN112582325A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910944784.6

申请日：2019-09-30

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 黄晗 ,  林正忠 ,  吴政达 ,  陈彦亨 ,  赵梦波

IPC: H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种晶圆辅助导向设备，用于半导体制造机台，所述设备包括：辅助环体，所述辅助环体具有供晶圆进出的开口；固定架，固定连接于所述辅助环体上；至少两个辅助定位销，固定连接于所述固定架，所述辅助定位销通过与所述晶圆的边缘接触以将所述晶圆定位于标准位置。本发明采用机台外的晶圆辅助导向设备作为晶圆定位以及抽真空的辅助工具，替代了半导体制造机台上原始固定的定位销，在对位结束后，将所述晶圆辅助导向设备整体移除，可以避免晶圆因与定位销接触加热时，由于热膨胀而造成定位销压迫晶圆，导致晶圆损坏或破裂的缺陷。

公开(公告)号：CN112259466A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201910678917.X

申请日：2019-07-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种重新布线层的制备方法，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一基板，所述基板上表面具有一粘结层；2)于所述粘结层上表面，依次沉积扩散阻挡层和种子层；3)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述种子层的上表面形成图形化的光刻胶层；4)于未被所述光刻胶层覆盖的种子层上表面形成金属线层；5)去除所述光刻胶层6)湿法刻蚀，去除未被所述金属线层覆盖的所述种子层；7)干法刻蚀，去除未被所述种子层覆盖的扩散阻挡层。采用干法刻蚀去除扩散阻挡层，消除了湿法刻蚀的侧蚀现象，并避免了细间距重新布线层的剥离，提高了细间距重新布线层的制备良率。

公开(公告)号：CN111933586A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201910394045.4

申请日：2019-05-13

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 徐罕 ,  陈彦亨 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及制备方法，晶圆级芯片封装结构包括：基底；重新布线层，形成于所述基底上，所述重新布线层具有划片槽区域；封装层，形成于所述重新布线层上；凹槽，形成于所述封装层中，所述凹槽位于所述划片槽区域上。本发明的晶圆级芯片封装结构及制备方法能释放封装结构内部的应力，降低晶圆的翘曲度，增加工艺稳定性，提升良率，增加产出。

公开(公告)号：CN111916362A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201910390440.5

申请日：2019-05-10

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 吕娇 ,  陈彦亨 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，所述半导体封装结构包括：待封芯片，所述待封芯片包括衬底及位于衬底之上的金属化层，其中，所述待封芯片上表面带有对位标记；塑封层，形成于所述待封芯片上表面，所述塑封层包括位于所述待封芯片上表面，与所述金属化层电性连接的金属柱、位于所述对位标记外围的半密封空腔以及包覆所述金属柱及半密封空腔的塑封料层；重新布线层，位于所述塑封层上表面，所述重新布线层包括电介质层和位于电介质层之上的金属线层。通过引入可以保护对位标记不被污染的半密封空腔，能够在塑封后，不用其他额外工艺，就可以直接暴露出对位标记，对于后续制程提供精确的定位。

公开(公告)号：CN111370385A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010285764.5

申请日：2020-04-13

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 陈彦亨 ,  林正忠 ,  吴政达

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种扇出型系统级封装结构及其制作方法，封装结构包括：重新布线层；金属凸块，形成于重新布线层表面；系统级芯片以及电源管理芯片，与重新布线电性连接；封装层，具有连接槽，连接槽内具有连接焊球；中介基板，与连接焊球电性连接；存储芯片及被动组件，与中介基板电性连接。本发明可实现多种不同的系统功能需求，提高封装结构的性能。本发明通过三维垂直堆叠封装，有效降低封装结构的面积，提高封装结构的集成度，效短芯片之间的传导路径，降低封装结构的功耗，大大降低了封装结构的整体厚度。连接焊球可以通过焊球工艺形成，可以有效增加连接焊球的尺寸，进一步提高传导能力。

公开(公告)号：CN107146779B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201710523587.8

申请日：2017-06-30

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 陈彦亨 ,  林正忠 ,  何志宏 ,  吴政达

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/492 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明提供一种指纹识别芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括：硅衬底；重新布线层，形成于所述硅衬底上；金属引线，通过焊线工艺焊接于所述重新布线层上；指纹识别芯片，通过金属焊点装设于所述重新布线层上，其中，所述指纹识别芯片的正面朝向于所述重新布线层；以及封装材料，覆盖于所述指纹识别芯片，且所述金属引线露出于所述封装材料。本发明采用扇出型封装（Fan out）指纹识别芯片，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点。采用焊线工艺，可以大大降低工艺温度，提高工艺的适用范围。

公开(公告)号：CN110896036A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910662160.5

申请日：2019-07-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种封装结构及封装方法，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成封装层；采用化学镀于所述封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成焊盘，所述焊盘之间裸露所述化学镀种子层；去掉裸露部分的所述化学镀种子层；采用打线工艺于所述焊盘的上方连接金属线。本发明的封装结构及封装方法能够提高焊盘的牢固性，提高焊盘与封装层之间的结合力，从而防止焊盘在后续工序中的脱落现象。

公开(公告)号：CN110349869A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910663067.6

申请日：2019-07-22

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种封装结构及封装方法，包括步骤：提供一支撑基底，于所述支撑基底的上表面形成第一封装层；采用化学镀于所述第一封装层的上表面形成化学镀种子层；于所述化学镀种子层的上表面形成图形化的金属层，所述金属层具有第一窗口，所述第一窗口显露所述化学镀种子层；去掉所述第一窗口内裸露的所述化学镀种子层，以显露所述第一封装层；于所述第一封装层及所述图形化的金属层上方形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述金属层。本发明的封装结构及封装方法能够提高封装层的牢固性，提高金属层与第一封装层之间的结合力，从而防止第二封装层在后续工序中的脱落现象。

公开(公告)号：CN110190026A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910492117.9

申请日：2019-06-06

Applicant: 中芯长电半导体(江阴)有限公司

Inventor： 尹佳山 ,  仇月东 ,  周祖源 ,  吴政达 ,  林正忠

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体制备方法，包括步骤：提供半导体结构；于半导体结构的上表面形成封装层；自封装层的上表面减薄封装层；于封装层的上表面形成金属种子层；对金属种子层的上表面进行预处理，其中，预处理包括采用去胶液对金属种子层的上表面进行处理的步骤；于金属种子层的上表面形成光阻层。本发明的半导体制备方法，通过采用去胶液对金属种子层的上表面进行预处理，可提高光阻层与金属种子层的接触性能，可在金属种子层的上表面形成具有均匀厚度的光阻层，提高良率，提高产品性能。