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公开(公告)号：CN113901065B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202111064406.2
申请日：2021-09-10
Applicant: 上海浦东发展银行股份有限公司
IPC: G06F16/23 , G06F16/16 , G06F16/172
Abstract: 本申请涉及一种员工信息更新方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取来源于信息服务器的第一信息文件，并将第一信息文件中的第一员工信息集合存储至本地缓存空间；获取来源于域控服务器的第二信息文件，并将第二信息文件存储至本地内存空间；基于第二员工信息集合中各对象所对应的员工标识，在本地内存空间中将第一员工信息集合和第二员工信息集合进行整合，得到目标员工信息集合；将目标员工信息集合存储至本地内存空间；确定本地内存空间中的历史员工信息集合；在本地内存空间中，将目标员工信息集合与历史员工信息集合进行比对，并根据比对结果更新数据库中相应的员工信息。采用本方法能够实现对零散的员工信息的高效管理。
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公开(公告)号：CN119898563A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510202967.6
申请日：2025-02-24
Applicant: 上海方仓智能科技有限公司
Inventor： 金征峰
IPC: B65G1/04
Abstract: 本申请涉及一种用于立体仓库的轨道机器人及智能仓储系统。换向装置包括设于箱体的驱动件、传动柄和两组连杆组件，驱动件与传动柄的中部连接，两组连杆组件沿第一方向分别设置于传动柄的两侧并与传动柄的两端转动连接，第一轮组的数量设置为两组，两组第一轮组沿第一方向间隔设置于传动柄的两侧并与连杆组件一一对应，每组连杆组件均与一组第一轮组连接并用于带动第一轮组作升降运动，驱动件能够驱动传动柄转动以同步带动两组连杆组件，以使两组第一轮组相对箱体同步作升降运动至第一位置或第二位置；在第一位置时，第一轮组与第一轨道接触，第二轮组与第二轨道分离；在第二位置时，第一轮组与第一轨道分离，第二轮组与第二轨道接触。
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公开(公告)号：CN119896514A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311414656.3
申请日：2023-10-27
Applicant: 上海蓝脉医疗科技有限公司
IPC: A61B17/221 , A61B17/22 , A61B17/3207
Abstract: 本申请涉及一种取栓装置，支撑框架体具有形变功能，滤栓结构装配在所支撑框架体上，滤栓结构具有滤栓内腔以及连通滤栓内腔的滤栓捕获口，滤栓结构的滤栓捕获口朝向近端方向，滤栓结构的表面开设连通滤栓内腔的滤栓网孔，滤栓网孔允许血液通过并且阻止血栓通过，割栓结构设置于支撑框架体上，割栓结构位于滤栓结构的近端方向。取栓装置采用了切割和截获相结合的取栓方式，将附壁血栓快速切割成便于收集的游离态，且基于滤栓结构和割栓结构在血流方向上的相对位置设计，能够借助于血液的流动携带游离态的碎血栓进入到滤栓结构中，利用滤栓结构对碎血栓进行拦截，阻止破碎的血栓无预期、无目的地被冲走，有效防止碎血栓在其他血管区域发生栓塞。
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公开(公告)号：CN119894364A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510066055.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 上海积塔半导体有限公司
Abstract: 本申请涉及一种存储电容结构及其制造方法。该存储电容结构包括：下电极、电容介质层、第一上电极、下电极接触结构、介质层盲孔和氧化介质层；电容介质层位于下电极的一侧；第一上电极位于电容介质层背离下电极的一侧；下电极接触结构位于下电极背离电容介质层的一侧并与下电极电性连接；介质层盲孔位于下电极接触结构在第一方向上的正上方，并在第一方向上贯穿第一上电极和电容介质层而不贯穿下电极；氧化介质层嵌设于介质层盲孔内。本申请能够有效解决电容介质层断裂导致的存储电容失效问题，提高了存储电容结构的工艺良率以及性能稳定性。
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公开(公告)号：CN119894079A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510080986.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 上海积塔半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构及其制备方法中，相邻两个隔离结构之间的衬底内进行离子注入形成阱区时，由于离子注入阻挡层的介电常数较大，禁带宽度也相对较大，所以当离子扩散时，离子注入阻挡层可以阻止离子向隔离结构的迁移。离子无法穿透离子注入阻挡层，使得半导体结构导电沟道处反型层形成的条件控制在预定范围内，即后续器件的开启会在设定电压条件下，改善了半导体结构阈值电压降低的问题。此外，由于离子注入阻挡层还覆盖了第一衬垫层的侧壁，避免了离子注入时从第一衬垫层的侧壁进去隔离结构的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119893310A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510031702.4
申请日：2025-01-08
Applicant: 格兰菲智能科技股份有限公司
Inventor： 彭怀宇
IPC: H04N23/88
Abstract: 本申请涉及一种镜头阴影补偿方法、装置、设备、存储介质及程序产品。所述方法包括：获取镜头对应的不同色温的标定图像；对不同色温的标定图像分别进行质心计算，确定不同色温的标定图像的光学中心；根据不同色温的标定图像的光学中心的像素值，确定不同色温的标定图像中各个像素的增益值；根据选定的二维增益查找表的节点，对不同色温的标定图像中各个像素的增益值进行二维样条拟合，生成不同色温对应的二维增益查找表；根据不同色温对应的二维增益查找表，对镜头在当前场景拍摄的待校正图像进行阴影补偿。采用本方法能够提高阴影补偿的准确度。
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公开(公告)号：CN119893064A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510045134.3
申请日：2025-01-10
Applicant: 格兰菲智能科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种图像补偿方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取待处理图像；所述待处理图像携带各像素点在不同通道的累积应力值；基于所述累积应力值，得到各所述像素点在不同通道的亮度衰减程度值；根据各所述像素点在不同通道的亮度衰减程度值，计算各所述像素点的补偿因子，并根据所述补偿因子对各所述像素点进行补偿。采用本方法能够对图像进行精确补偿。
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公开(公告)号：CN119890137A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510114063.8
申请日：2025-01-23
Applicant: 上海积塔半导体有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底；于衬底内形成隔离沟槽；形成第一隔离材料层及初始沟槽，第一隔离材料层至少覆盖隔离沟槽的内表面，初始沟槽位于隔离沟槽上方，且位于第一隔离层材料层的外表面；至少去除位于初始沟槽表面的部分第一隔离材料层，以形成目标沟槽；于目标沟槽内形成第二隔离层，并去除部分第一隔离材料层，以形成第一隔离层。上述半导体结构的制备方法能够降低工艺难度，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN119884155A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510052548.9
申请日：2025-01-14
Applicant: 达朗(上海)智能科技有限公司
IPC: G06F16/242 , G06F16/2455 , G06F16/2458
Abstract: 本申请涉及一种信息查询方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品，涉及信息检索技术领域，能够提高信息检索效率。所述方法包括：获取待信息查询的文件，将文件存储至结构化向量数据库；结构化向量数据库中设置有多个键名；将文件的语义信息和结构化向量数据库中的至少一个键名进行对齐操作，得到结构化解析规则；获取信息查询语句；根据结构化解析规则对信息查询语句进行解析，得到查询目标和查询条件所构成的结构化查询实例；根据结构化查询实例中的查询条件，对结构化向量数据库的对应向量进行筛选，得到目标向量；基于结构化查询实例，通过生成式语言模型，从目标向量对应的文件内容中提取出查询目标对应的信息查询结果。
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公开(公告)号：CN114597649B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202011404092.1
申请日：2020-12-04
Applicant: 加特兰微电子科技(上海)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种天线系统及其波达方向估计方法、传感器、设备，所述方法包括：天线系统在不同的时间以不同的馈电端口馈电并发射无线电信号，包括通过单一馈电端口馈电并发射无线电信号，和通过至少两个馈电端口同时馈电并发射无线电信号；其中，通过调整同时馈电的各馈电端口发射无线电信号的幅度和相位，使得无线电信号的辐射方向与第一天线单元通过单个馈电端口馈电时的辐射方向一致；天线系统接收目标物体反射的第一无线电信号；根据第一无线电信号进行波达方向估计及运算，得到波达角。本发明通过设置馈电开关而不是增加天线的数量来增加相位中心，相对而言可以节约天线排布所占的面积，而相位中心的增加可以提高波达方向估计的空间分辨率。
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