公开(公告)号：CN119894079A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510080986.6

申请日：2025-01-17

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 张齐 ,  王峰 ,  李乐 ,  黄永彬

IPC: H10D84/03 ,  H10D62/10 ,  H10D84/85

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构及其制备方法中，相邻两个隔离结构之间的衬底内进行离子注入形成阱区时，由于离子注入阻挡层的介电常数较大，禁带宽度也相对较大，所以当离子扩散时，离子注入阻挡层可以阻止离子向隔离结构的迁移。离子无法穿透离子注入阻挡层，使得半导体结构导电沟道处反型层形成的条件控制在预定范围内，即后续器件的开启会在设定电压条件下，改善了半导体结构阈值电压降低的问题。此外，由于离子注入阻挡层还覆盖了第一衬垫层的侧壁，避免了离子注入时从第一衬垫层的侧壁进去隔离结构的可能性。

公开(公告)号：CN118173502A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410290156.1

申请日：2024-03-14

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 张齐 ,  王峰 ,  李乐 ,  黄永彬

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种改善金属层套刻精度的方法及半导体结构，所述半导体衬底包括介质层，所述介质层中具有的套刻标记槽，通过在填充所述套刻标记槽时，在所述介质层表面沉积第一金属层，同时部分填充所述套刻标记槽，使所述套刻标记槽在垂直所述半导体衬底的方向上留有孔洞。当所述介质层较厚、所述套刻标记槽较深并且所述套刻标记槽的刻蚀停止层也较厚的情况下，纵向留有孔洞的所述套刻标记槽能够使套刻精度机台更清晰的识别出套刻精度标记，进而提高金属层的套刻精度，降低了产品的返工率和生产成本。