公开(公告)号：CN102319593A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110235199.2

申请日：2011-08-16

Applicant: 北京博晖创新光电技术股份有限公司

Inventor： 杨奇

IPC: B01L3/00 ,  B23K26/20 ,  B23K26/42 ,  B29C65/16

CPC classification number: B01L3/502707 ,  B01L2200/027 ,  B01L2200/0689 ,  B01L2300/0816 ,  B23K11/002 ,  B23K11/02 ,  B23K26/244 ,  B23K26/324 ,  B23K2101/18 ,  B23K2103/30 ,  B29C65/08 ,  B29C65/16 ,  B29C65/1635 ,  B29C65/1696 ,  B29C65/7844 ,  B29C66/30223 ,  B29C66/3242 ,  B29C66/54 ,  B29C66/8322 ,  B29L2031/756 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00119 ,  B81C2203/035

Abstract: 本发明公开了一种膜动聚合物微流控芯片，涉及膜动聚合物微流控芯片制造技术领域，包括：第一基板、隔膜、位于所述第一基板的一面上的若干结构部件及位于所述第一基板上的若干第一通孔，还包括：第二基板，所述第二基板一面与所述第一基板另一面相贴合，所述第二基板的另一面表面平整，所述第二基板上设有与所述第一基板的第一通孔对应的第二通孔，第一通孔和第二通孔形成整体通孔，所述隔膜贴合在所述第二基板的另一面。还公开了一种膜动聚合物微流控芯片制备方法，本发明实现了多基板时两板通孔连接处的焊接，并保证了基板与隔膜粘合表面的平整。

公开(公告)号：CN102196347A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110045682.4

申请日：2011-02-23

Applicant: 安华高科技无线IP(新加坡)私人有限公司

Inventor： 蒂莫西·勒克莱尔 ,  史蒂文·马丁 ,  布鲁斯·比奥德瑞

IPC: H04R23/00 ,  H04R3/00

CPC classification number: G10K11/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00238 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有声学换能器及放大器的封装装置。一种装置包括：引线框，其具有位于其中央部分内的孔；至少一个声学号角，其安装在孔上方的引线框上，并用于以较低信号损耗将声学能量与电信号相互转换；壳体，其连接至引线框，并包括位于引线框的与声学换能器相同一侧的基部；放大器设置在壳体的基部上接近声学换能器；以及盖体，其用于与壳体的基部一起界定腔，其中，声学换能器及放大器被紧密地布置在MEMS装置的腔内。

公开(公告)号：CN101825506A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010002870.4

申请日：2010-01-21

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 安达佳孝 ,  井上胜之

IPC: G01L1/22 ,  G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明提供一种膜片不易破损并且传感器灵敏度的偏差也小的半导体传感器以及制造方法。在隔着SiO2膜(23)将Si基板(22)和Si薄膜(24)贴合的SOI基板的下表面形成凹部(26)。Si薄膜(24)的一部分成为作为感压区域的膜片(25)。在凹部(26)的上表面外周部，SiO2膜(23)将膜片(25)的下表面外周部覆盖，并且在凹部26上表面的除外周部之外的区域使膜片(25)的下表面露出。将膜片(25)的下表面外周部覆盖的SiO2膜(23)(加强部23a)在下表面形成锥形，随着从膜片(25)的外周侧朝向膜片(25)的中心部，其膜厚逐渐减薄。

公开(公告)号：CN101410999A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011552.0

申请日：2007-03-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 平野贵之 ,  川上信之 ,  甘中将人

IPC: H01L37/00 ,  B81C1/00 ,  C23C16/42 ,  G01F1/692 ,  H01L35/34 ,  G01J1/02

CPC classification number: G01F1/692 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0169 ,  B81C2201/0178 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明提供一种可以容易地制造、具有优异的绝热性能和高质量的膜片结构元件。还提供一种用于制造这种膜片结构元件的方法。所述膜片结构元件配置有由氧化硅膜形成的膜片，以及基板，所述基板通过支持所述膜片的外围的一部分而以中空状态支持所述膜片。用于制造这种膜片的方法具有：膜形成步骤，即通过等离子体CVD法在硅基板(2)的表面侧上形成热收缩性氧化硅膜(13)；热处理步骤，即使用加热进行热处理以使形成在所述基板(1)上的所述氧化硅膜(13)收缩；以及去除步骤，即去除所述基板(2)的一部分，使得所述氧化硅膜(13)与所述膜片对应的部分作为膜片相对于所述基板(2)以中空状态被支持，并且形成凹部(4)。

公开(公告)号：CN1238686C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03138275.4

申请日：2003-05-30

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 宫岛久和 ,  荒川雅夫 ,  薮田明 ,  阪井淳

IPC: G01B7/16

CPC classification number: G01P15/123 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  G01L9/0055 ,  G01P2015/0828 ,  Y10S977/956

Abstract: 本发明涉及机械形变量检测传感器。传感器构造体(1)由硅基片构成，通过对里面一侧的一部分进行各向异性刻蚀形成凹部(3)，备有矩形框状的支持部分(1a)，和占据支持部分(1a)的框内的薄的隔片(2)，玻璃制的台座(4)，其中设置用于将流体压力导入凹部(3)的压力导入孔(5)，与传感器构造体(1)的里面接合。在传感器构造体(1)的表面上在与隔片(2)两侧的周边部分的中央对应的位置上，为了跨在隔片(2)和支持部分(1a)的边界上而设置炭毫微管电阻元件(61，62)。与这些炭毫微管电阻元件(61，62)一起，将组成用于取出检测信号的电桥电路的用作基准的电阻元件(63，64)配置固定在支持部分(1a)的表面上。

公开(公告)号：CN1620402A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN03802613.9

申请日：2003-01-16

Applicant: “德默克里托斯”国家科学研究中心 ,  阿多拉·G·那斯阿普罗

Inventor： 阿多拉·G·那斯阿普罗 ,  格里哥里斯·卡查斯 ,  第密特罗斯·尼古劳斯·帕哥尼斯

IPC: B81B3/00 ,  G01K7/02 ,  G01F1/684

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  G01F1/6845 ,  G01K7/028

Abstract: 本发明提供一种基于两个系列的集成热电偶(6和7)的使用的、性能改进的、微型化的硅热流传感器，所述集成热电偶(6和7)位于一个加热器(4)的两侧，它们都集成在一多孔硅薄膜(2)上，该多孔硅薄膜(2)位于一个孔(3)的顶部。其下有孔(3)的多孔硅薄膜(2)为所述传感器元件提供非常好的热隔离，这使得将所述加热器(4)保持在一个特定温度所需的功率非常低。其下有一个孔(3)的多孔硅薄膜(2)的形成过程是一个两步式单电化学过程，它以这样一个事实为基础，即阳极电流相对低时，我们处于多孔硅的形成状态，当此电流超过某个值时，我们就转到电抛光状态，所述过程以一低电流开始以形成多孔硅(2)，然后它被转到电抛光条件来形成位于其下的孔(3)。在此对采用所提出的方法的不同类型的热传感器装置，如流传感器，空气传感器，红外检测器，湿度传感器和热电功率发生器进行了描述。本发明还提供一种采用与形成多孔硅(17)和孔(16)相同的技术形成微射流通路(16)的方法。

公开(公告)号：CN109688525A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811000514.1

申请日：2018-08-30

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 井上匡志

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/005 ,  B81B3/0072 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  H04R1/02 ,  H04R7/04 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R19/04

Abstract: 一种转换器，维持背板的强度的同时，提高信噪比。转换器具备基板、与基板相对配置的背板、与背板相对配置的隔膜，背板具有主体部、支承主体部且与基板连接的支承部、贯通主体部的多个贯通孔，主体部具有：具有多个贯通孔的一部分的中央区域和连续或离散地包围中央区域且具有多个贯通孔的其它部分的三个以上的周边区域，各周边区域连续或离散地包围中央区域，中央区域及各周边区域的贯通孔的开口率相互不同，中央区域及各周边区域的开口率在中央区域内及各周边区域内为一定，中央区域的开口率比各周边区域的开口率高，主体部的外周侧的周边区域的开口率比中央区域侧的周边区域的开口率低。

公开(公告)号：CN106105268B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201480003818.7

申请日：2014-08-26

Applicant: 歌尔股份有限公司

Inventor： 邹泉波 ,  王喆 ,  陶继方 ,  邱冠勋

IPC: H04R31/00 ,  H04R7/00 ,  H04R7/06 ,  H04R9/06

CPC classification number: H04R19/02 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/032 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0197 ,  H04R7/06 ,  H04R19/013 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003 ,  H04R2307/025 ,  H04R2307/027

Abstract: 本发明提供一种热双晶振膜的制作方法及MEMS扬声器，其中该方法包括以下步骤：对基板(1)热氧化以在该基板上获得绝缘层(2)，在绝缘层(2)上设置金属层(3)；在金属层(3)上设置保护层(4)；在保护层(4)上设置热双晶第一层(5)；在热双晶第一层(5)上设置热双晶第二层(6)；在金属层(3)上未设置保护层(4)的位置处设置金属连接层(7)，在基板(1)和绝缘层(2)上形成相对应的背洞(16)，并释放保护层(4)；释放保护层(4)后，热双晶第一层(5)和热双晶第二层(6)形成弯曲的热双晶振膜。利用该MEMS扬声器，能够解决生产成本高、振膜制作复杂以及扬声器音效不佳的问题。

公开(公告)号：CN108627286A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810213551.4

申请日：2018-03-15

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： B.D.阿利斯泰尔 ,  R.A.戴维斯 ,  R.沃德

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

CPC classification number: G01L1/18 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/09 ,  G01L1/2293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 本发明涉及具有向边缘通气的埋置腔的微机电系统（MEMS）力芯片，具体公开了一种力传感器，力传感器可包括传感芯片，传感芯片包括盖和支撑件。一般地，支撑件的第一表面可包括埋置腔和一个或多个通道。一个或多个通道可从埋置腔朝向支撑件的外边缘延伸，并且可确保力传感器对环境或大气压力变化不敏感。盖可结合到支撑件的第一表面，由此形成定位在埋置腔上方的传感膜。另外，力传感器可包括用以感测来自外部媒介的力变化的致动元件。致动元件可将力传递到传感膜，从而导致其挠曲进入埋置腔内。传感膜上的一个或多个传感元件可基于挠曲的量提供对力的变化的指示。

公开(公告)号：CN108622842A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710167444.8

申请日：2017-03-21

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 张健 ,  丁敬秀

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H04R9/08

CPC classification number: H04R31/003 ,  B81B3/0051 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00658 ,  B81C2201/0105 ,  B81C2201/0133 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H04R2231/003 ,  H04R2307/025 ,  B81B3/0027 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00404 ,  B81C2201/0174 ,  H04R9/08

Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中半导体装置包括衬底以及位于衬底上的振动膜和覆盖层，其中部分覆盖层位于振动膜的上方，衬底、振动膜和覆盖层形成空腔；其中衬底包括能够露出振动膜的至少部分下表面的开口、以及设在所述开口侧壁上的至少一个支撑部。由于在衬底的开口侧壁上设有支撑部，因此当振动膜发生形变时，支撑部能够为振动膜提供支撑，以免振动膜发生断裂。同时由于支撑部与振动膜的接触面积有限，因此并不会对半导体装置的信噪比造成影响。